• 硅和锰的添加对退火过程中钢材亚表面碳分布的影响

  •在铁素体+奥氏体两相退火过程中，硅和锰的加入对碳的表面偏聚有强烈影响。•硅和锰的选择性氧化导致亚表层区域溶质元素贫化。•化学势梯度驱动碳向表面方向或远离表面方向的上坡扩散。•硅通过促进碳富集，而锰通过氧化物覆盖和热力学效应抑制碳富集。•碳的再分布受氧化引起的溶质浓度和表面状

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 负光电导作为量化探测MoS₂光电极中硫空位的手段

  利用负光电导效应来量化MoS2中的硫空位。 建立了S形-Langmuir-Boltzmann框架用于缺陷分析。 从电学测量中提取无量纲硫空位指数（IVs）。 通过X射线光电子能谱校准获得4.6–11.8%的空位浓度。 提供了一种快速无损的传统缺陷表征替代方案。 ## 引言

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 铈介导的SnO2用于高性能CO2电还原制甲酸：密度泛函理论研究

  •DFT + U计算表明，Ce4+/Ce3+氧化还原反应促进了Ce/SnO2(1 1 0)表面上初始氧空位（OV）的形成，并抑制了深度还原。•Ce3+重新氧化为Ce4+可稳定*OCHO中间体，增强选择性2e− CO2还原生成HCOOH的活性。•恒电位模拟表明，碱性介质和适度负

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 无机粘结剂的热稳定性对氧化铈涂层红外辐射性能的影响

  •红外发射率受自由载流子、氧空位、晶粒尺寸和孔隙尺寸的协同调控。•硅酸盐涂层在高温下发射率下降，而磷酸盐涂层保持稳定的辐射性能。•硅酸盐发射率下降是由于交联 Si–O–Si 网络限制载流子以及孔隙粗化导致中红外波段失配。•磷酸盐的稳定性源于 CePO4 的生成引入了氧空位，且

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 通过离子束注入金属载带薄膜实现纳米级硅的图案化

  •剂量控制的聚焦离子束可在超薄薄膜中实现纳米级硅图案化。•将硅离子注入银后经退火处理可实现选择性金属蒸发。•极小的横向扩散在超薄硅制备过程中保持薄膜完整性。•稳定的硅—硅和硅—蓝宝石键合形成高质量图案化硅薄膜。引言硅是地球上第二丰富的元素，在当今半导体行业中占据主导地位，是二

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 碳量子点介导的ZnCoMOF缺陷工程实现光催化CO2还原产物的定向转化

  • 通过水热法合成了富含氧空位的 CQDs 改性 ZnCoMOF。 • CQDs 中残留的尿素在加热时释放还原性 NH₃，从而形成氧空位。 • CQDs 优化了 ZnCoMOF 的电子结构，并形成了富电子的 Co²⁺ 活性位点。 • 在 100% CO₂ 条件下，CQDs-0

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 通过等离子体诱导在竹炭上形成碳缺陷，实现原位催化碳纳米材料生长，从而抑制高倍率锂离子电池的极化现象

  • 等离子体诱导的拓扑缺陷工程使得碳-碳复合材料能够原位生长碳纳米材料。 • ACEFs（Al

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 环境参数对Rn-220释放率影响的实验研究

  •提出了一种闭环物理校正与加权XGBoost相结合的方法，用于Rn-220释气建模。•大气压对Rn-220释气表现出"泵吸"抑制效应，贡献率为46.11%。•环境湿度呈现出"降低-升高-降低"的三阶段非线性效应。•土壤温度动态平衡了热力学驱动与水分相变之间的竞争关系。•加权X

  来源：Applied Radiation and Isotopes

  时间：2026-08-31

• 利用粗糙集机器学习阐明质子交换膜能源系统中双金属HER/OER电催化剂设计以实现绿色制氢

  •基于RSML框架实现质子交换膜水电解中可解释的HER/OER催化剂设计。 •分析了包含21个物理化学和结构描述符的16,226个DFT模拟数据点。 •识别出核心特征：位点性质、位点原子、晶体结构、晶面。 •生成了64条HER和69条OER决策规则，确定性为100%。 •在R

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

• 基于MnO₂单层阳极的高容量Mg/Ca离子储能：第一性原理揭示载流子能量学、扩散动力学与电解质组分界面相容性

  **摘要要点** • MnO2单层在氧端表面可实现高密的Mg/Ca吸附。 • Mg/Ca的储电量分别达到3699.4和1849.7 mAh g⁻¹。 • Mg/Ca存储的平均开路电压分别为0.51和1.07 V。 • Mg和Ca在MnO2上的扩散势垒分别为0.38和0.36

  来源：Applied Surface Science

  时间：2026-08-31

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