• 沉积后热处理对 CMT-WAAM Inconel 718 的微观组织、力学性能及氯化物诱导磨蚀的影响

  摘要本研究探讨了沉积后热处理对CMT-WAAM（冷金属转移增材制造）制备的Inconel 718合金的微观组织、力学性能、干滑动磨损、腐蚀及摩擦腐蚀行为的影响。共研究了四种状态：原位态（AB）、去应力态（SR）、直接时效态（DA）以及均匀化+固溶+时效态（HSTA）。通过光学

  来源：Materials Chemistry and Physics

  时间：2026-09-15

• 面向运动防护装置吸能的 3D 打印仿生圆柱架构内凹超材料参数优化

  摘要 随着对具有高能量吸收能力的轻质结构的需求日益增长，尤其是在运动防护装备领域，可调力学性能的先进结构化材料得到了快速发展。本研究提出了一种新型的3D打印负泊松比超材料，采用仿生圆柱架构，专为增强运动防护装置的能量吸收能力而设计。其负泊松比行为和可调几何形状使其能够控制软

  来源：Materials Chemistry and Physics

  时间：2026-09-15

• 综述：基于合金的策略用于提升水系锌离子电池中锌负极的性能

  **摘要** 水系锌离子电池（AZIBs）凭借其本征安全性、低成本的材料以及高理论比容量，成为极具前景的储能候选技术。然而，锌金属负极在水系电解质环境中面临诸多有害问题，如腐蚀、表面钝化、析氢反应以及锌枝晶生长。合金化提供了一种通过成分调控和结构修饰来调节锌负极行为的有效途

  来源：Materials Today Energy

  时间：2026-09-15

• 载于TiN上铂团簇的界面电子重构设计以实现高效碱性氢电氧化

  •通过气相沉积将超小铂团簇固定在氮化钛上。•Pt-TiN表现出增强的碱性HOR活性、耐用性和CO耐受性。•Pt-TiN界面电子耦合引起电荷重新分布。•下移的铂d带中心优化了H结合和OH富集。•界面电子工程实现了高效碱性HOR催化剂设计。引言阴离子交换膜燃料电池（AEMFCs）

  来源：Materials Today Chemistry

  时间：2026-09-15

• 双空位诱导的氧化还原效应促进CeO2/CDs/CdS异质结在可见光激发下的N2光固氮性能提升

  •开发了具有碳诱导双空位的新型 Ce-CdS 异质结，用于高效利用可见光。•增强了内建电场和更高效的电荷转移。•获得了足够的氧化还原电位，可同时产生·OH 和·O2−自由基。•加氢过程遵循远端路径，具有更低的速率决定步骤（RDS）能垒。引言光催化固氮（pNRR）被视为哈伯 -

  来源：Materials Today Chemistry

  时间：2026-09-15

• 综述：基于场效应晶体管（FET）的传感器在挥发性有机化合物（VOC）检测、环境监测及智能传感应用中的研究进展

  摘要 作为快速、无标记且极其灵敏地检测挥发性有机化合物（VOCs）以及其他化学和生物分析物的灵活平台，基于场效应晶体管（FET）的传感器引起了广泛关注。由于其优越的电学性能、低功耗以及与小型设备的互操作性，这些传感器在许多领域展现出广阔的应用前景。近年来，石墨烯、金属氧化物

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-15

• 通过背面照明提升基于α-Ga₂O₃的深紫外光探测器性能

  ## 摘要 深紫外光探测器（DUV PDs）需要宽带隙半导体才能实现优异的光学盲特性，而氧化镓（Ga₂O₃）作为一种有前景的材料，已应用于下一代深紫外光探测器。基于α-Ga₂O₃的深紫外光探测器已得到研究，但其缓慢的光响应速度仍然是一个挑战。在本研究中，通过氢化物气相外延（

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-15

• 双功能(NiPS3 NSs + BP QDs)@In2O3异质结用于协同光催化降解抗生素与析氢

  摘要新兴有机污染物的消除与清洁氢能的开发是环境修复领域的关键研究课题。氧化铟（In2O3）作为一种低电阻率、高催化活性的双功能光催化剂，展现出广阔的应用前景，然而裸露的In2O3由于光生载流子严重复合，限制了其实际应用性能。本研究通过将二维NiPS3纳米片与零维黑磷量子点（B

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-15

• 聚合物电解质集成的Cr掺杂TiO₂/Mo掺杂BiVO₄异质结构用于准固态光伏应用

  摘要为了克服原始二氧化钛 (TiO2) 纳米棒阵列 (TNRAs) 可见光响应有限以及钒酸铋 (BiVO4) 敏化层电子传输受限的问题，构建了铬 (Cr) 掺杂 TNRAs 与钼 (Mo) 掺杂 BiVO4 (Cr-TNRAs/Mo-BiVO4) 复合光电阳极，并将其集成到基

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-15

• 采用GeCl₄外延生长用于SiGe悬空结构的应变弛豫SiGe层

  摘要空载硅锗（SGON，Si1-xGex on nothing）技术基于在略低于熔点的高温下对纳米多孔 Si1-xGex 表面进行受控重构，有望成为制备应变弛豫 Si1-xGex 虚拟衬底的一种替代方案。在实现所需锗含量的同时，提高制备 SGON 所需的厚 Si1-xGex

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-15

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