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基于物理的多尺度研究:在温度和应变率耦合场作用下AM 939材料的塑性变形
镍基超合金高温应变率耦合下的力学响应与微观组织演变研究。采用参数化函数和迭代方法修正了Zener-Hollomon本构模型并建立激活能(Q)地图,验证了其对峰值流变应力的预测精度。研究发现:晶界断裂分数与屈服强度、抗拉强度呈负相关,而等温延伸率在950℃时因热软化效应超过850℃水平。高温下 carbide分解氧化侵蚀导致晶界强度骤降,动态再结晶比例与Q地图趋势一致但受应变限制。计算表明Orowan绕过机制需考虑位错攀移,堆垛层错密度通过数量和体积密度量化,显示温度升高增强其剪切能力。中文摘要结束。
来源:Materials Science and Engineering: A
时间:2026-03-28
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通过控制晶粒尺寸来调控TRIP(孪晶形变诱导塑性)动力学,可以在FeNiMnCoTiSi这种中等熵合金中实现低温条件下的强度与塑性的协同提升
高熵合金Fe-15Ni-8Mn-8Co-3Ti-1Si通过冷 consolidation、高压力扭转和700-900℃退火调控晶粒尺寸(0.8-3.8μm),实现77K低温下1.34GPa强度与80%延伸率的优异强韧协同效应。应变硬化分析表明晶粒尺寸影响变形诱导马氏体相变(DIMT)动力学:细晶中纳米级η(D0<sub>24</sub>)析出导致TRIP行为延迟(指数演化),粗晶中剪切带交叠促进DIMT持续激活(对数演化),析出相与晶界工程协同实现连续应变硬化。
来源:Materials Science and Engineering: A
时间:2026-03-28
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具有多尺度结构设计的双负指数陶瓷气凝胶,用于极端条件下的热超绝缘
陶瓷气凝胶通过多尺度结构设计(纳米级叶脉结构、微米级燕尾榫结构、宏观折叠结构)实现负泊松比和负热膨胀系数,在1300℃高温下仍保持高压缩应变(95%)、优异热稳定性和超低热导率(94±4.7 mW/(m·K)),为极端环境热绝缘提供新方案。
来源:Materials Today
时间:2026-03-28
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热处理对采用高碳含量IN939G超级合金通过激光粉末烧结(LPBF)工艺制备的材料的微观结构及高温拉伸性能的影响
激光粉末床熔融(LPBF)制备的镍基超合金易因快速冷却和高温梯度产生微裂纹,通过将碳含量增至0.4 wt%形成MC型碳化物并降低残余应力,成功抑制裂纹生成。系统研究了不同热处理(单阶段/双阶段)对显微组织(γ'相分布)及力学性能(600/900℃抗拉强度、延展性)的影响,发现热处理参数需根据应用温度优化,为先进镍基超合金增材制造提供新思路。
来源:Materials Science and Engineering: A
时间:2026-03-28
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LPBF GTD222材料的长期老化:添加TaC后,η相引起的微观结构不稳定性和拉伸性能下降
激光粉末床熔融制备的GTD222镍基合金及5% TaC增强复合材料在800°C长期热暴露下的显微结构演变和室温拉伸性能研究。通过对比发现,TaC的添加细化了晶粒结构并减弱了织构强度,但在热暴露过程中,复合材料虽然保持较高强度,延展性却显著下降。
来源:Materials Science and Engineering: A
时间:2026-03-28
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成形失效:解析镍单晶中取向依赖的断裂行为
本研究探究了不同镍单晶在准静态拉伸下的晶体取向依赖断裂行为,发现颈缩和斜面断裂两种模式,通过滑移分析和晶体塑性有限元模拟表明,应力投影因子可有效预测断裂模式。
来源:Materials Science and Engineering: A
时间:2026-03-28
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综述:碳化硅(SiC)加工的原子尺度研究:分子动力学与反应分子动力学模拟综述
硅 carbide加工机理的分子动力学与反应性分子动力学模拟研究。本文系统综述了MD与Reax FF MD在SiC纳米压痕、划痕、切割及多种辅助抛光技术中的应用,揭示了塑性变形、相变、氨化及氧化机制的作用规律,指出Reax FF MD在动态键合反应模拟中的优势。未来需加强多尺度模拟、机器学习势函数开发及混合加工过程建模。
来源:Materials Science in Semiconductor Processing
时间:2026-03-28
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通过直接能量沉积法制备的镍-铝合金青铜/马氏体不锈钢双金属的微观结构、织构及力学性能
本研究通过线材电弧增材制造技术制备了镍铝青铜/410 NiMo马氏体不锈钢双金属结构,分析了其微观结构演变、晶体织构及力学性能。发现不锈钢区以马氏体为主,含少量δ-铁素体、α-铁素体和残留奥氏体;NAB区α相晶粒及析出相分布随build height变化。界面处形成富铁层,呈现液态金属脆化裂纹,但拉伸试验显示断裂发生在NAB区,实现587 MPa抗拉强度和12%延伸率,表明界面有效承载。
来源:Materials Science and Engineering: A
时间:2026-03-28
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选择性Ge侧壁外延与三栅极MOSFET的栅极堆栈集成
选择性外延生长硅侧壁实现三栅MOSFET自对准S/D集成,结合低温度化学气相沉积和晶面依赖生长模型控制,成功抑制SiO2表面非寄生形核,通过Y2O3/HfO2/TiN栅堆集成验证了高离子/关断比性能。
来源:Materials Science in Semiconductor Processing
时间:2026-03-28
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受含羞草启发的自供电摩擦电-光子有机晶体管存储器,用于机械光学传感和自适应保护
自供电摩擦电-光子有机晶体管内存器实现光触写与摩擦电擦除的协同机制,模拟含羞草感知-保护-恢复的生物学行为,可自主触发光能模块的机械冲击保护,为自适应电子提供单一器件的多模态感知解决方案。
来源:Materials Science and Engineering: R: Reports
时间:2026-03-28