• 基于双分支图神经网络的Twitter社交机器人检测：关系图卷积与行为相似性图注意力协同方法

  摘要

  来源：Systems

  时间：2026-10-21

• 青春期M-CSF给药通过小胶质细胞依赖性机制对雄性小鼠创伤诱导的PTSD样表型提供持久保护

  创伤后应激障碍（PTSD）是一种严重的精神疾病，目前缺乏有效的预防策略。先天免疫预处理在预防PTSD方面显示出前景，但在成年期诱导的这种保护的短暂性构成了重大限制。我们使用雄性C57BL/6J小鼠，测试了在青春期——一个以小胶质细胞可塑性增强为特征的发展期——给予巨噬细胞集落

  来源：Neurochemical Research

  时间：2026-10-21

• 经颅磁刺激诱发运动电位中第5层至第2/3层循环反馈的机制作用

  **目的** 我们旨在开发并验证一个整合了从第5层到第2/3层循环反馈连接的个性化神经场理论（NFT）模型来描述运动皮质。 **方法** 我们在Wilson等人（2021）已确立的前馈模型基础上进行扩展，加入了循环反馈连接。突触耦合系数采用自下而上的方法从微解剖学数据中推导

  来源：Neuroinformatics

  时间：2026-10-21

• 综述：脑缺血性疾病中T细胞-小胶质细胞相互作用的双向调控机制：分子交互、实验技术与治疗启示

  脑缺血性疾病，如缺血性中风（IS）和血管性痴呆（VaD），是神经功能障碍和死亡的主要原因。神经炎症是继发性脑损伤的关键驱动因素，由外周T细胞与中枢神经系统（CNS）驻留的小胶质细胞之间复杂的相互作用所介导。本综述阐述了脑缺血中T细胞-小胶质细胞交叉对话的分子机制，强调其在加剧

  来源：Neurochemical Research

  时间：2026-10-21

• 旋阿片肽减轻急性实验性癫痫及相关神经化学改变：可能涉及阿片受体

  摘要Spinorphin（棘皮素）是一种内源性脑啡肽酶抑制剂，通过防止内源性脑啡肽的降解来增强生理性阿片肽信号传导，然而其抗惊厥潜力此前尚未被研究过。本研究评估了Spinorphin在两种互补的急性实验性癫痫模型中对癫痫发作活动及相关神经化学改变的影响。在戊四氮（PTZ）和青

  来源：Neurochemical Research

  时间：2026-10-21

• 辛可尼定通过SRC/RAF1/NF-κB通路减轻线粒体功能障碍，改善创伤性脑损伤相关的神经行为缺陷

  摘要辛可尼丁（CD）是一种源自肠道微生物群的代谢产物，在保护创伤性脑损伤（TBI）方面显示出前景，其中线粒体功能障碍是继发性损伤的关键驱动因素。使用控制性皮质冲击（CCI）小鼠模型和体外原代神经元损伤模型，给予 CD 使 TBI 小鼠的生理状态（体重恢复、心率稳定）和行为结果

  来源：Neurochemical Research

  时间：2026-10-21

• 在工作记忆中进行动态空间更新时，对侧脑区的延迟活动

  亮点 - 对侧延迟活动追踪工作记忆表征的心理运动 - 当被记住的物体移动到相反的半场时，CDA的极性会反转 - CDA极性的反转不能完全用视觉空间注意力来解释 摘要 工作记忆（WM）使我们能够维持和直接操作心理表征，但我们对这种特权在线形式的神经实现知之甚少。我们记录了人类受试

  来源：iScience

  时间：2026-10-21

• 65纳米DICE SRAM中径迹结构诱导的单粒子翻转离子能量依赖性

  摘要： 随着倒装芯片封装的广泛应用和集成电路结构复杂度的不断增加，高能重离子在地基单粒子效应（SEE）评估中变得越来越重要。本文通过实验和数值方法研究了商用65纳米双互锁存储单元（DICE）静态随机存取存储器（SRAM）中单粒子翻转（SEU）灵敏度的离子能量依赖性。在

  来源：IEEE Transactions on Neural Systems and Rehabilitation Engineering

  时间：2026-10-21

• TDI CMOS图像传感器暗电流的多温度退火研究：异常现象与预测建模

  摘要：时间延迟积分CMOS图像传感器（TDI CIS）在空间应用中易受总电离剂量（TID）效应的影响。研究TID辐照后的高温退火行为对于阐明电离缺陷的长期演化及优化加速测试方案至关重要。本研究开展了系统性的多温度退火实验，揭示了两种异常的暗电流行为。首先，在相对较低的温度区间

  来源：IEEE Transactions on Neural Systems and Rehabilitation Engineering

  时间：2026-10-21

• 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)电容器重离子诱导氧化层失效机制的级联击穿模型

  摘要：单粒子栅介质击穿（SEGR）仍然是碳化硅（SiC）MOSFET在太空环境中部署的关键限制因素，这是由于在SiC体材料上形成稳健、缺陷稀少的介质层时，氧化层质量较差且工艺窗口有限。本文系统研究了4H-SiC金属-氧化物-半导体（MOS）电容器中重离子诱导氧化物击穿的机制

  来源：IEEE Transactions on Neural Systems and Rehabilitation Engineering

  时间：2026-10-21

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