• 利用强化学习优化K空间欠采样技术进行脑部MRI重建

  双域强化学习优化MRI k空间采样策略，显著提升加速成像质量与临床任务性能。在BraTS2021数据集验证中，四种模态（T1、T2、FLAIR、T1ce）均实现4倍加速，脑肿瘤分割精度接近全采样，且性能衰减低于基线方法。方法融合动态k采样优化与多尺度重建网络，创新性引入频率-空间双域奖励机制，克服传统固定采样模式局限。

  来源：Pattern Recognition Letters

  时间：2026-03-05

• 利用窄带宽光谱域光学相干断层扫描（SD-OCT）技术实现大深度范围、纳米级轴向分辨率的表面轮廓测量

  本文提出了一种基于光谱域光学相干断层扫描（SD-OCT）的表面轮廓测量方法，通过提取干涉谱中的单频余弦分量并分区间折叠平均，显著提高了信噪比。该方法轴向分辨率与光谱带宽无关，构建窄带宽SD-OCT系统实现了大深度范围测量，实验验证了其高分辨率（纳米级）和大范围（毫米级）的测量能力。

  来源：Optics & Laser Technology

  时间：2026-03-05

• 利用预热辅助的平顶激光粉末定向能量沉积（LP-DED）技术制备CuCrNb合金：克服高反射率以实现超密结构制造

  激光增材制造中预加热辅助平顶激光束技术显著提升了CuCrNb合金的致密化水平，在200°C预加热下实现0.0112%超低孔隙率，形成38±7μm细等轴晶和纳米级Cr₂Nb析出物，室温强度达300MPa。但300°C预加热导致晶粒粗化至59±9μm，强度下降。研究证实优化预加热温度对抑制缺陷、调控能量耦合至关重要，为高反射铜基材料增材制造提供新策略。

  来源：Optics & Laser Technology

  时间：2026-03-05

• 冲击引起的损伤机制以及基于海底硬度的设计修正方法，适用于安装在柔性黏土海底上的管中管系统

  本研究开发三维非线性显式有限元模型，分析柔性 seabed 对管中管系统落体冲击的影响，发现柔性 seabed 可降低外管塑性变形和永久凹陷深度达25.3%和30.4%，并提出基于 seabed 不排水抗剪强度的修正因子以优化传统刚性 seabed 评估方法。

  来源：Ocean Engineering

  时间：2026-03-05

• 使用时域方法研究大型柔性船舶在水平弯曲和扭转作用下的联合水弹性响应

  二维时域方法耦合振动分析在超大型集装箱船中的应用，通过薄壳理论和边界元法建立结构-流体耦合模型，验证了方法在预测水平弯曲与扭转耦合响应中的准确性，并与实验及3D商用软件结果对比，为ULCS设计提供基准数据。

  来源：Ocean Engineering

  时间：2026-03-05

• 基于北斗反射信号的舰载显著波高监测方法：考虑卫星高度角和方位角的影响

  海面显著波高动态监测方法及船载GNSS-R反演模型研究，提出基于双变量校正（BVC）的延迟-多普勒图（DDM）观测变量融合方法，结合降维与重构消除观测耦合，利用平均信噪比（ASNR）和时间延迟窗口（TDW）等变量实现SWH高精度反演，实验表明RMSE分别为0.167m和0.201m，与卫星测高数据吻合度良好。

  来源：Ocean Engineering

  时间：2026-03-05

• 从陆地到海洋沉积物的有机物质来源预测与分布：一种综合性的生物地球化学与多变量机器学习方法

  圣劳伦斯河口湾及海湾沉积物中有机质来源解析采用机器学习与多元分析结合方法，通过碳氮元素、C17-C27烷烃及δ13C同位素特征分析，揭示陆源有机质随距离河道10公里递减2%的稀释转化规律，证实分子同位素指标诊断能力优于传统C/N比值，系统特定条件影响生物地球化学标记的指示作用。

  来源：Journal of Geophysical Research: Biogeosciences

  时间：2026-03-05

• 综述：通过气体吸附对纳米多孔材料进行纹理表征的新方法

  纳米多孔材料的孔隙结构与纹理特性通过气体吸附法分析，区分微孔（<2nm）、介孔（2-50nm）和 macropore（>50nm），结合计算模拟与互补表征技术优化材料设计。

  来源：Microporous and Mesoporous Materials

  时间：2026-03-05

• 利用校准的拉曼光谱技术研究激光剥离过程中GaN基微LEDs残余应力反转的演变

  硅基氧化物薄膜制备工艺创新及太阳能电池性能优化研究，提出采用分前驱体脉冲-等离子体化学气相沉积（SPP-PECVD）技术，在标准工业PECVD设备上实现1.7-1.8nm超薄SiO_x层原子级厚度控制（0.22nm/循环），较传统工艺厚度均匀性提升至0.037nm（整舟）和0.12nm（M2硅片）。经磷掺杂聚硅层复合处理，获得739mV开路电压和0.7fA/cm²表面复合电流密度，为TOPCon/IBC电池高效化提供新解决方案。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-03-05

• 通过H/He共注入技术在300毫米SOI层转移过程中界面缺陷的演变

  氢氦共辐照对300mm SOI层剥离行为及微裂纹演化影响研究。实验表明，H-first顺序因氦在氢修饰缺陷中排斥而抑制裂纹扩展，需更高热处理预算；He-first则因氢被捕获和氦扩散促进裂纹，降低热处理需求。高氦剂量导致应力变化大，影响SOI质量。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-03-05

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