• 基于ZnO纳米颗粒形貌调控的矿物油-合成酯混合绝缘油介电性能增强研究

  可持续变压器绝缘需求的增长推动了传统矿物油环保替代品的开发。尽管纳米颗粒增强的酯基绝缘液体表现出改善的介电性能，但氧化锌纳米颗粒（ZnO NPs）形貌对矿物油-合成酯油混合物的影响仍未被充分理解。本研究探讨了一种由矿物油、合成酯油和经水热法合成的具有纳米花、纳

  来源：Processes

  时间：2026-11-01

• 脉冲激光沉积（PLD）制备卤化物钙钛矿器件的最新进展：从靶材工程到多层集成

  卤化物钙钛矿太阳能电池（PSCs）兼具强光吸收、组分可调带隙和高效电荷传输等优势，但其性能与运行稳定性对薄膜质量及埋藏界面的品质高度敏感。溶液法虽仍为主导工艺，但溶剂介导的结晶过程制约了可重复性、大面积均匀性以及多层薄膜的连续制备。脉冲激光沉积（PLD）提供了

  来源：Coatings

  时间：2026-11-01

• 透明度与可解释人工智能（XAI）如何塑造推荐系统购买意愿：基于信号理论的条件性框架

  算法解释可能为消费者评价提供信息，但理解某一理由与信任其来源是两种不同判断。研究基于信号理论（Signaling Theory）构建条件性框架，其中解释在可理解、与决策相关且可信时提供有用信息。研究对208名电子商务用户开展横断面便利抽样调查，并采用偏最小二乘

  来源：Information

  时间：2026-11-01

• 矿物填充PBT化学镀镍的表面调理工艺研究

  本研究分析了矿物填充PBT（聚对苯二甲酸丁二醇酯）化学镀镍的结果。研究人员在两种不同化学条件下考察了蚀刻溶液对PBT表面的有益影响。同时，利用光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）结合能量色散X射线光谱（EDX/EDAX）对PBT的组成和表面形貌进行了表征。结果

  来源：Coatings

  时间：2026-11-01

• 退火Al/Ti多层复合板材中Al3Ti层微结构与晶体学非均匀性的多尺度表征及其生长机制解析

  本研究通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）及同步辐射X射线衍射（XRD）技术，系统研究了由Ti Grade 1与AA1050薄板交替堆叠构成的多层板材中Al3Ti金属间化合物层的微观组织与晶体学织构。上述分析表征了Al3Ti层在厚度方向上的微

  来源：METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE

  时间：2026-11-01

• 高风险专业选拔中的脚本化真实性：教师候选人身份建构的定性过程模型

  高风险专业选拔中的脚本化真实性（Scripted authenticity）：教师候选人身份建构的定性过程模型。申请人将自传式资源转化为专业身份信号。共享模板带来所报告的清晰度，但使表面独特性标准化。候选人使用情绪调节在被评价情境下展现连贯的自我。资格门槛和支

  来源：Acta Psychologica

  时间：2026-11-01

• 自主性满足与Z世代大学生就寝拖延：一般自我效能感与AI依赖的链式中介作用

  背景：随着人工智能（AI）快速融入高等教育，大学生的日常行为日益受到技术使用的影响。就寝拖延已成为Z世代学生中常见的自我调节问题。然而，将环境资源与技术相关行为同睡眠结局相联系的心理机制仍缺乏充分理解。本研究考察了自主性满足与就寝拖延之间的关联，以及一般自我效

  来源：Acta Psychologica

  时间：2026-11-01

• 3D生物打印载脂肪间充质干细胞的GelMA/BAMMA管状支架在大鼠大网膜中的组织重塑与血管化

  先天性畸形、医源性损伤及获得性疾病常导致输尿管结构或功能缺损，然而用于输尿管修复与重建的组织工程策略仍十分有限。本研究通过酶消化及甲基丙烯酸酐修饰，由猪膀胱脱细胞基质（BAM）合成光交联型膀胱脱细胞基质（BAMMA）。研究人员对GelMA、GelMA/BAMM

  来源：Micromachines

  时间：2026-11-01

• 60 GHz串联馈电贴片阵列设计及其面向室内短距离通信的稀疏布局扩展全波评估

  针对室内短距离通信应用，研究人员研究了一种具有增强辐射性能的60 GHz天线阵列。为在保持等效单元数量固定的条件下提高阵列增益，提出了一种基于等效串联馈电子阵的优化稀疏布局扩展方法。首先设计了E形微带贴片（E-shaped microstrip patch）和

  来源：Micromachines

  时间：2026-11-01

• 具有双阶梯掺杂漂移区与BOX下方P型埋层的高性能SOI LDMOS器件：动态击穿电压与比导通电阻的协同优化

  为改善SOI LDMOS器件中动态击穿电压（BVdyn）与比导通电阻（Ron,sp）之间的权衡关系，研究人员提出了一种具有双阶梯掺杂漂移区和P型埋层（DSD-PBL SOI LDMOS）的器件。该器件包含一个双阶梯掺杂（DSD）漂移区以及位于埋氧层（BOX）下

  来源：Micromachines

  时间：2026-11-01

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