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为探究中心对称材料中斯格明子(Skyrmions)的形成机制,研究人员对中心对称材料 GdRu2Si2开展研究。利用角分辨光电子能谱(ARPES),发现费米面(FS)嵌套等关键结果。这有助于区分斯格明子形成理论,还有望用于数据存储等领域。
斯格明子(Skyrmions)是一种磁性自旋涡旋结构,在自旋电子学应用方面前景广阔。它通常出现在非中心对称材料中,不过在中心对称材料里也有观测到,而且尺寸能小至几纳米,但形成机制尚不明确。研究人员运用角分辨光电子能谱(ARPES)对中心对称材料 GdRu2Si2(该材料具有斯格明子相)的磁畴进行选择性测量,以此揭示其本征电子结构。
研究发现,存在明显的费米面(FS)嵌套现象,这与之前共振 X 射线散射测量检测到的磁调制 q 矢量相符。赝能隙(pseudogap)在嵌套的费米面部分打开,且在不同磁畴中有所差异。这种异常的赝能隙使费米面断开,产生具有二重对称性的费米弧(Fermi arcs) 。这些结果表明,Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida(RKKY)相互作用在 GdRu2Si2中斯格明子形成所需的螺旋自旋调制产生过程中起决定性作用。此外,研究人员通过磁场和温度循环操控磁畴,展示了 GdRu2Si2磁性的灵活性,这为未来数据存储和处理设备的应用提供了潜在方向。