• 通过交叉轧制进行纹理工程处理可以抑制异质双模合金中的机械各向异性

  摘要经过剧烈变形和短时退火处理后的异质双峰结构中的超细晶区通常会保留强烈的滚动诱导织构，这导致在不同加载方向下出现明显的机械各向异性。为了减轻这种各向异性，引入了交叉轧制策略来促进(TiNbVTa)99.65Cr0.35合金中织构的多样化。经过45°交叉轧制后进行短时退火，CR4

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-09-03

• 真空退火对硅衬底上共溅射制备的(Sn, Al)掺杂Ga₂O₃场效应晶体管的影响研究

  通过共溅射技术制备了(Sn, Al)掺杂的Ga₂O₃场效应晶体管（FETs），该方法具有与硅技术高度兼容、可实现晶圆级制备、生产快速且成本低廉等优势。沉积态纯Ga₂O₃薄膜的电导可通过Sn掺杂剂得到增强，而引入Al掺杂剂可抑制关态电流，从而保持其宽禁带特性。此外，还采用了在不

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 电荷平衡辅助SiC MOSFET中的DIBL特性及其抑制机制

  摘要在SiC MOSFET中，由于短通道效应引起的漏极诱导势垒降低（DIBL）仍然是电力电子应用中的一个重要问题。本文提出了一种采用正交和并行布局的电荷平衡辅助SiC MOSFET，并研究了其抑制DIBL的有效性。通过3-D TCAD仿真阐明了其工作原理，结果显示正交布局将JFE

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 布里奇曼法生长SbSnS3单晶的结构、光学、电学及光电响应特性

  •据我们所知，这项工作首次全面研究了布里奇曼法生长的 SbSnS3 单晶。 •同步辐射高分辨率 X 射线衍射（HRXRD）、粉末 X 射线衍射（PXRD）和拉曼分析证明了其高结晶质量和择优取向。 •获得了近化学计量比的 SbSnS3 单晶，其直接光学带隙为 1.54 eV。

  来源：Materials Science and Engineering: B

  时间：2026-09-03

• 通过近空间升华法制备用于 X 射线成像的 CdTe 薄膜探测器

  摘要碲化镉（CdTe）是最有前景的X射线探测半导体材料之一，具有优异的辐射探测性能和室温工作能力。然而，传统生长方法（如THM和HPB）受制备周期和晶体尺寸的限制，阻碍了大尺寸探测器的制造。本工作通过引入Cd0.9Zn0.1Te缓冲层并优化生长工艺，在GaAs衬底上成功生长了

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 利用有机酞菁镁脉冲调制器产生谐波畴壁暗脉冲

  摘要利用镁酞菁（MgPc）作为可饱和吸收体（SA），在长腔掺铒光纤激光器（EDFL）中产生了谐波畴壁（DW）暗脉冲。MgPc可饱和吸收体通过简单的溶剂浇铸法将MgPc颗粒嵌入聚乙烯醇（PVA）基体中来制备，提供了一种灵活且成本效益高的非线性光学调制器。将MgPc SA加入长E

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 协同纳米压印与三元共混在二维金属卤化物/有机互穿式光伏中实现23.37%效率及卓越稳定性

  高效薄膜光伏技术需要同时优化光吸收、电荷分离、载流子提取和工作稳定性，但在传统平面p/n异质结中这些要求难以兼容。在此，我们提出一种协同策略，将纳米压印p型二维（2D）金属卤化物钙钛矿支架与三元共混n型有机层集成，构建有序嵌入式异质结光伏器件。优化后的纳米压印工艺将平面p型结

  来源：Materials Science and Engineering: R: Reports

  时间：2026-09-03

• 综述：连接集成电路芯片与可变形电路：一种面向高密度柔性电子的封装框架

  摘要多功能柔性电子正朝着能够与人体轮廓贴合的系统发展，集成了传感、刺激以及板载信号处理、存储和无线通信功能。实现此类系统级功能同时保持高性能和高集成密度仍然依赖于硅集成电路（IC）芯片。然而，由于刚性、厚度以及高密度的 I/O 焊盘，IC 芯片与可变形电路平台从根本上不相容。

  来源：Materials Science and Engineering: R: Reports

  时间：2026-09-03

• 蛋黄-壳结构NaA@HMSNs纳米颗粒的合成及其在镉离子吸附与姜黄素递送中的双功能应用

  •RF间隔层在NaA与介孔二氧化硅壳层之间形成空腔。•壳层厚度可调节蛋黄-蛋壳型NaA@HMSNs中姜黄素的负载量。•NaA@HMSN-2的姜黄素负载量达124.0 mg/g，并可在体外吸附Cd2+。•姜黄素释放与Cd2+吸附可在同一缓冲体系中同时进行。•48小时后HepG2

  来源：Materials Science and Engineering: B

  时间：2026-09-03

• K-Zr-Fe-O 多相陶瓷中界面极化驱动的介电增强及其在高温介电领域的应用

  •合成了多相K–Zr–Fe–O陶瓷（约80% K–Fe–O，约18% Fe2O3，约2% ZrO2）。•获得了3.09 ± 0.03 eV的间接光学带隙。•Urbach能为0.207 ± 0.023 eV，表明存在中等程度的结构无序。•在400°C和1 kHz下实现了约7 ×

  来源：Materials Science and Engineering: B

  时间：2026-09-03

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