• 二维交替磁性扬努斯Cr₂SeO双层的压电-谷耦合与自旋输运

  摘要交替磁性是一种新型磁性相，其特点是在共线反铁磁体中，尽管净磁化为零，且无需依赖自旋-轨道耦合，仍存在自旋劈裂。这一性质为自旋电子学和谷电子学技术提供了新的机遇。在本研究中，我们研究了独眼双层Cr2SeO，该材料缺乏反演对称性，是一种具有多功能应用前景的二维材料。我们的第一

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 锗组分对注入 SiGe/Si 异质结构中应变弛豫和磷激活的影响

  摘要在快速热退火（RTA）处理后，系统研究了磷注入SiGe/Si异质结构中锗（Ge）含量、初始结构状态、磷再分布与电激活之间的关系。与Si0.7Ge0.3相比，富锗的Si0.3Ge0.7异质结构表现出高度弛豫且缺陷丰富的微观结构，大部分应变弛豫在 epitaxial 生长过程

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 针对SrFe₂O₁₉-Zn-MOF杂化材料高效耗散电磁波的需求，对其界面结构进行了量身定制的设计

  •采用机械合金化方法制备了SrFe12O19-Zn-MOF复合材料。•多界面设计提高了阻抗匹配和微波吸收性能。•该复合材料在9.15 GHz频率下，厚度为2.15 mm时，其最小反射损耗（RLmin）可达-30.40 dB。引言诸如移动通信系统、雷达和集成电路等高频电子元件的快速

  来源：Materials Science and Engineering: B

  时间：2026-09-03

• 痕量Ca的添加对Al-Cu铸造合金热裂敏感性、微观组织和力学性能的影响

  摘要二元Al-Cu铸合金尽管具有较高的强度和良好的热稳定性，但其热裂敏感性仍然是限制其广泛应用的关键挑战。本研究提出了一种经济有效的微量合金化策略，即添加0.6 wt.% Ca，以系统地调控凝固行为、微观组织演变和力学性能。微观组织表征表明，Ca促进了高熔点Al8Cu4Ca金

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-09-03

• 通过交叉轧制进行纹理工程处理可以抑制异质双模合金中的机械各向异性

  摘要经过剧烈变形和短时退火处理后的异质双峰结构中的超细晶区通常会保留强烈的滚动诱导织构，这导致在不同加载方向下出现明显的机械各向异性。为了减轻这种各向异性，引入了交叉轧制策略来促进(TiNbVTa)99.65Cr0.35合金中织构的多样化。经过45°交叉轧制后进行短时退火，CR4

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-09-03

• 真空退火对硅衬底上共溅射制备的(Sn, Al)掺杂Ga₂O₃场效应晶体管的影响研究

  通过共溅射技术制备了(Sn, Al)掺杂的Ga₂O₃场效应晶体管（FETs），该方法具有与硅技术高度兼容、可实现晶圆级制备、生产快速且成本低廉等优势。沉积态纯Ga₂O₃薄膜的电导可通过Sn掺杂剂得到增强，而引入Al掺杂剂可抑制关态电流，从而保持其宽禁带特性。此外，还采用了在不

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 电荷平衡辅助SiC MOSFET中的DIBL特性及其抑制机制

  摘要在SiC MOSFET中，由于短通道效应引起的漏极诱导势垒降低（DIBL）仍然是电力电子应用中的一个重要问题。本文提出了一种采用正交和并行布局的电荷平衡辅助SiC MOSFET，并研究了其抑制DIBL的有效性。通过3-D TCAD仿真阐明了其工作原理，结果显示正交布局将JFE

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 布里奇曼法生长SbSnS3单晶的结构、光学、电学及光电响应特性

  •据我们所知，这项工作首次全面研究了布里奇曼法生长的 SbSnS3 单晶。 •同步辐射高分辨率 X 射线衍射（HRXRD）、粉末 X 射线衍射（PXRD）和拉曼分析证明了其高结晶质量和择优取向。 •获得了近化学计量比的 SbSnS3 单晶，其直接光学带隙为 1.54 eV。

  来源：Materials Science and Engineering: B

  时间：2026-09-03

• 通过近空间升华法制备用于 X 射线成像的 CdTe 薄膜探测器

  摘要碲化镉（CdTe）是最有前景的X射线探测半导体材料之一，具有优异的辐射探测性能和室温工作能力。然而，传统生长方法（如THM和HPB）受制备周期和晶体尺寸的限制，阻碍了大尺寸探测器的制造。本工作通过引入Cd0.9Zn0.1Te缓冲层并优化生长工艺，在GaAs衬底上成功生长了

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

• 利用有机酞菁镁脉冲调制器产生谐波畴壁暗脉冲

  摘要利用镁酞菁（MgPc）作为可饱和吸收体（SA），在长腔掺铒光纤激光器（EDFL）中产生了谐波畴壁（DW）暗脉冲。MgPc可饱和吸收体通过简单的溶剂浇铸法将MgPc颗粒嵌入聚乙烯醇（PVA）基体中来制备，提供了一种灵活且成本效益高的非线性光学调制器。将MgPc SA加入长E

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-09-03

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