• 碰撞中重夸克偶极流对其初始空间分布的敏感性

  我们在布鲁克海文国家实验室相对论重离子对撞机上可用的最高能量下，利用嵌入在真实流体动力学背景中的朗之万方法，研究了非对称铜金碰撞中粲夸克的动力学特性。碰撞核的内在不对称性导致了空间上不均匀的初始能量密度分布，从而即使在快度中心区域也会产生横向面上的偶极流动结构。当粲夸克穿过该

  来源：Physical Review C

  时间：2026-09-14

• 垂直电场在薄膜中诱导出竞争性的波对和波对超导配对现象

  受到通过施加垂直电场可以改变Ruddlesden-Popper（RP）双层镍酸盐La3Ni2O7薄膜的超导特性的启发，我们利用动态簇量子蒙特卡罗计算方法研究了带有层间势垒的不平衡双轨层Hubbard模型。我们重点关注了未掺杂、空穴掺杂和电子掺杂情况下，耦合对称性随层间势垒的变化趋

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

• 低温 CsI 对数 keV 及亚 keV 核反冲的闪烁响应

  采用${}^{88}\text{Y}/\text{Be}$和${}^{124}\text{Sb}/\text{Be}$光核源产生的单色中子，获取了80 K下纯（未掺杂）碘化铯的响应。低噪声、高量子效率雪崩光电二极管与一种新型波长位移器的组合使用，使分析阈值达到70 eV。这一

  来源：Physical Review C

  时间：2026-09-14

• 弗洛凯拓扑绝缘体中的量子化输运

  我们研究了一个周期性驱动（Floquet）拓扑系统与静态费米子储库耦合时的量子输运。利用Floquet非平衡格林函数（NEGF）形式体系，我们通过一条几何结构下的精确数值计算表明，二端（纵向）电导被量子化为 $|W_\varepsilon| e^2/h$，而霍尔（横向）电导被

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

• Kondo-Heisenberg链中内能隙对密度波态的证据

  内隙超导态长期以来被视为费米面不匹配条件下一种奇特的配对态，但其如何在典型的强关联模型中实现一直难以实现。在此，我们提供了证据，表明一维Kondo-Heisenberg模型的超导相实现了一种由强关联所产生的内隙配对密度波（PDW）态。结合无限密度矩阵重正化群（iDMRG）和有

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

• 库仑标度、几何归一化以及单高斯描述在七种入射粒子亚势垒熔合中的局限性

  我们利用 Jiang 等人 [Phys. Rev. C 112, 034612 (2025)] 的单高斯模型，分析了67个具有高质量垒下激发函数的重离子融合反应，并提取了势垒参数 Rg、Vg、Wg、Rg²Wg。这些反应涉及七种弹核——¹⁶,¹⁸O、²⁸,³⁰Si、³²,³⁴S

  来源：Physical Review C

  时间：2026-09-14

• 通过异金属竞争极化实现电子晶体中不等价间隙电子态与压力增强的超导电性

  在电子盐中，间隙阴电子（IAEs）构成了一种关键的电子自由度，其空间组织决定了电子结构及涌现的量子性质。然而，如何实现具有复杂拓扑结构的间隙阴电子仍然是核心挑战。在此，我们提出了一种异金属竞争极化策略，用于在高压力Li-Mg-P体系中调控间隙阴电子，从而实现了Li₆Mg₂P电

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

• 趋近准周期极限的蔡氏型2/1近似晶体的块体超导性

  准周期系统中超导性的出现提出了一个根本性问题：随着平移对称性逐渐丧失并趋近准周期极限，常规超导性能否得以保留？准晶体近似结构保留了周期性，同时具有与准晶体相同的局部原子结构基元，为研究这一问题提供了理想平台。在此，我们报告了Cu₂Zn₇相类型的2/1近似结构Au₆₄Al₂₂L

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

• 迈向基于硼二十面体超原子的常压超导

  我们发现了一类富硼化合物，由相互连接的B₁₂二十面体和位于间隙位点的电正性客体原子（X）组成。这些结构是通过在50 GPa下的第一性原理晶体结构预测找到的，并且在环境压力下仍然保持动力学稳定。当X为单价或三价元素时，这些结构呈现金属性和超导性。预测的临界温度对于CsB₁₂可达

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

• 磁场诱导完全补偿反铁磁体的子自旋翻转切换

  用磁场控制反铁磁体是凝聚态物理中的一项根本性挑战，原因在于其磁有序被完全补偿、净磁化强度趋于零。传统方法要么依赖未完全补偿的磁矩，要么依赖高场下的自旋翻转（spin-flop）相变。在此，我们展示了全补偿反铁磁体 CeNiAsO 中的低场开关特性——该材料近期被提出作为 p

  来源：Physical Review B

  时间：2026-09-14

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