Pt负载MoC/Mo₂C异质结薄膜催化剂通过射频磁控溅射制备,实现8.7 μg cm⁻²超低铂含量,在0.5 M H₂SO₄中展现低过电位(8 mV@10 mA cm⁻²,52 mV@100 mA cm⁻²)和小Tafel斜率(38.9 mV dec⁻¹),密度泛函理论表明电子金属-支撑体相互作用(EMSI)抑制Pt纳米颗粒聚集并优化电子结构,促进H*中间体脱附。该策略为低成本大规模制氢提供了高效 ternary 异质结薄膜催化剂设计范式。
本研究采用蒸气传输沉积法(VTD)制备SnS薄膜,优化沉积温度至580℃,形成(111)晶向为主的薄膜结构,随后通过低温电沉积法在SnS表面生长ZnO层构建p-n异质结,并负载Pt纳米颗粒作为析氢催化剂。在0.5M Na2SO4近中性电解液中,复合器件在-0.5V vs RHE偏压下实现2.38mA·cm−2光电流密度,显著提升光解水性能。