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  • 理解基于HfO2的3D沟槽FeRAM中频率依赖的加速退化机制

    本研究系统分析了三维沟槽HfO2基FeRAM的频率相关加速退化(FDAD)机制,发现延迟时间增加会加剧剩余极化退化并导致矫顽电场偏移。通过调节应力电压和优化脉冲操作方法可有效抑制FDAD效应,并提出基于氧空位(VO)生成、分布及电子陷阱作用的恢复策略。

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 来自完美码的对称数独类游戏

    摘要:本文提出了一种基于李距离完美码和直径完美码的对称数独类游戏的新构建方法。该方法利用这些码的铺砌特性来定义数独类游戏子网格约束的结构,从而使游戏具备数独的对称性。我们对两个小案例进行了详细分析:一个为5×5的数独,另一个为Z的数独。通过刚性运动定义等价关系,我们完整列举了所有有效网格,并识别出<

    来源:IEEE Transactions on Games

    时间:2026-04-14

  • 通过铟含量工程调整单片InGaN/GaN温度传感器件中的灵敏度与响应范围之间的权衡

    InGaN基光电集成器件中铟浓度对温度传感性能的影响研究。通过制备0.137-0.302 InGaN MQWs结构LED-PD器件,在0-220℃范围内发现高铟浓度(540nm发射)可扩展线性范围至220℃(较0.137 InGaN提升55℃),但灵敏度从0.441%℃降至124%℃,揭示光谱重叠与热带隙 narrowing共同作用下的灵敏度-线性权衡机制。器件均保持R<sub>2</sub>=0.98以上的高线性度与稳定性。

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 具有P+缓冲层的Split-Gate功率SiC MOSFET,用于提升单次事件辐射抗性

    硅基氮化碳(SiC)功率器件在空间电力系统中因优异的导通与开关特性备受关注,但单粒子辐照敏感性仍制约其应用。本文实验验证了前期提出的1.2 kV分栅式SiC MOSFET(SG-PB-MOS)通过P+缓冲层实现抗辐射性能增强的机制:缓冲层有效抑制门氧电场并快速提取重离子撞击产生的过剩空穴,使器件在85.91 MeV·cm²/mg离子辐照下,单粒子泄漏电流(SELC)、单粒子门损伤(LGD)和单粒子烧毁(SEB)阈值均显著提升,尤其在350 V漏源偏压和15 V栅源偏压下仍保持可靠运行,且不劣化正常工况下的静态和开关性能。

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 高性能三栅极GaN MIS-HEMT结构,采用掺镧的混合铁电材料作为电荷陷阱栅极堆栈

    基于镧掺杂Hf0.5Zr0.5O2门堆和1纳米ZrO2种子层的三栅E模式GaN MIS-HEMT实现4.85V阈值电压和0.69mΩ·cm²导通电阻,漏极饱和电流达869mA/mm,耐压805V且TDDB寿命达13.78V(1%失效)。

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 用于非易失性存储器设计的3D垂直铁电场效应晶体管(FET),具备延长数据保持时间的机制,并通过电压/宽度调制实现三电平存储单元(TLC)

    铁电非易失存储器三维垂直堆叠架构实验实现,采用poly-Si铁电晶体管(FeFET)作为存储单元和IWO FET作为写入器件,实现2.63V内存窗口、10秒以上数据保持和10^8次耐久性,通过存储节点抑制退极化场并实现0-V待机提升能效,支持三电平存储(TLC)的脉冲幅度/脉宽调制编程/擦除方式,三维集成架构兼具高密度存储优势与成熟CMOS兼容性。

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 0.34 THz扩展相互作用速调管用的高频腔体及低损耗窗口的制造与实验研究

    本文介绍了0.34 THz扩展相互作用速调管的高频结构设计与低损耗金刚石窗的研制。通过公差分析和高速微加工技术,将高频腔体表面粗糙度控制在0.1 μm内,制造误差小于4 μm,冷测试谐振频率达340.6 GHz,与仿真结果吻合。金刚石窗采用磁控溅射与真空钎焊工艺,实现S21<−1.8 dB、S11<−13 dB的高传输性能及低泄漏率,验证了其在太赫兹真空电子器件中的应用潜力。

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 极端温度下MEMS惯性开关的阈值特性

    摘要:为了确保微机电系统(MEMS)惯性开关在恶劣环境中的可靠运行,尤其是在极端温度下,本研究全面考察了它们在不同温度下的阈值特性。通过将低温或高温加载模块集成到冲击系统中,开发了一种组合冲击-温度加载系统。在从

    来源:IEEE Transactions on Electron Devices

    时间:2026-04-14

  • 综述:超越引用计数:整合图书馆馆藏与替代计量指标评估学术专著与教材的多元影响力

    这篇文献综述旨在整合大规模实证研究,探讨如何超越传统引用指标,构建一个多维度的学术专著与教材影响力评估框架。文章的核心是分析图书馆馆藏数据(分为印刷本馆藏LPH、电子本馆藏LEH和总馆藏TLH)与引文计量、替代计量(altmetrics,如Goodreads、Mendeley、社交媒体提及)及教育指标(如Open Syllabus Project排名)之间的交互与差异。其中心思想是强调,与期刊论文不同,书籍的影响力横跨学术、教育与社会多领域,单一指标(如总引用数)不足以反映其价值。综述主张采用分离的、基于格式的评估方法,避免简单聚合印刷与电子馆藏,并推荐结合多源指标(如Google Books引用、课程大纲提及、WorldCat版本数)来更全面、公平地评价书籍在不同学科(特别是人文社科HSS和部分STEM领域)中的学术价值、教育相关性及社会反响。文档中的图片展示了不同指标与各类馆藏数据的相关系数(如图1)、多元回归模型的解释力(如图2)以及随时间与学科变化的动态模式(如图3、图4),有力地支持了上述核心观点。

    来源:Frontiers in Research Metrics and Analytics

    时间:2026-04-14

  • 基于YOLO11的视讯荧光吞咽造影成像中测压传感器检测用于计算机辅助多模态吞咽评估

    为解决头颈癌患者吞咽功能障碍精准评估难题,本研究提出一种基于YOLO11深度学习的检测方法,旨在从视频-荧光成像序列中自动定位高分辨率阻抗测压传感器,实现了平均F1分数达96.6%的准确、鲁棒检测,为计算机辅助HRIM-VFSS融合分析、实现客观的吞咽功能评估迈出了关键一步。

    来源:Frontiers in Radiology

    时间:2026-04-14


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