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经过反位缺陷工程处理的单层2H-MoS2的电子、磁性和自旋轨道耦合特性，及其在自旋电子学中的应用
高自旋极化与高效自旋过滤的六方相MoS₂单层抗位缺陷工程研究，采用自旋极化DFT和AIMD模拟，发现抗位缺陷（Mo替代S）显著增强磁矩和自旋极化，并实现99.9%的自旋过滤效率，证实材料在室温下稳定且适用于自旋电子学器件。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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通过十二烷基苯磺酸制备的高效纯红色CsPbI3纳米晶体，可用于背光显示器
通过引入强结合配体十二苯磺酸（DBSA），实现了CsPbI3纳米晶的精确原位生长，显著提高量子产率达93%，并增强稳定性。制备的红发光LED发射峰稳定在630 nm，色彩色域覆盖NTSC 115%和Rec.2020 86%，白光LED光效达77.78 lm·W⁻¹。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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贝洛奥里藏特和阿拉卡茹市数字乳腺断层合成设备中的图像质量评估
基于Tomophan phantom和Smári软件，本研究评估了四款DBT系统在巴西临床设施中的图像质量，发现所有系统均符合国际全局均匀性标准（<15%），但局部均匀性（<10%）和Z分辨率评估存在方法学局限。研究强调需建立标准化质量控制协议以填补巴西DBT法规空白。
来源：Applied Radiation and Isotopes
时间：2026-04-08
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通过DBD等离子体结合共沉淀工艺提升Mo-Cu催化剂在C3H6-SCR低温条件下的性能，并对其进行DFT研究
C3H6-SCR催化剂通过浸渍、共沉淀和水热合成法制备，经DBD等离子体活化后，以Mo-Cu/MOR-CP-DBD性能最佳，在150-350℃实现>95% NO转化率，DFT揭示其表面Cu²⁺和MoOx促进吸附及反应路径优化。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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钴掺杂调控的表面动态重构镍钼酸盐结构，用于加速氧气释放过程
Co掺杂NiMoO4催化剂通过简单掺杂合成，保持纳米rod三维结构，在碱性条件下实现低过电位（180mV）、小Tafel斜率（93mV dec⁻¹）及超长循环稳定性（>100h），表面重构形成高活性Ni(Co)OOH物种，HSAB理论揭示了重构机制。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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通过激光烧蚀微缺陷调控VO2相变：应变工程与多步切换
激光烧蚀制备的缺陷可调控VO₂微板的局部应变分布，孤立空腔通过集中拉伸应变促进M相形成，空腔-皱纹组合则抑制M相并导致多步骤相变及电导率显著降低。数值模拟验证了缺陷对局部应变的调控作用，为VO₂功能器件设计提供了新方法。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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掺硫的FeVO4多面体能够在低温下实现超稳定且高倍率的钠离子存储
硫掺杂FeVO4材料作为钠离子电池负极，展现出高容量（306.8 mAh/g，循环1000次后223.8 mAh/g）、优异低温性能（0℃下210.2 mAh/g）及长循环稳定性，其多电子反应机制和结构稳定性源于硫掺杂优化了离子扩散和体积变化缓冲。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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羟基化的TiO2(B)作为界面桥梁，用于增强MXene/Fe2O3的界面性能，从而提升锂离子电池的存储性能
本研究通过PDADMAC介导的电静自组装制备Fe₂O₃/MXene/TiO₂(B) ternary composite，MXene增强导电性并锚定Fe₂O₃，TiO₂(B)抑制体积膨胀并形成化学键，实现3000次循环后800 mAh/g的高容量稳定表现，为高性能锂离子电池阳极提供新方案。
来源：Applied Surface Science
时间：2026-04-08
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人工智能（AI）对内存的需求极大：这种需求正在威胁整个电子产品的生产类别
AI硬件基础设施推动DRAM需求激增，导致全球内存供应短缺与价格暴涨，预计供需失衡将持续至新产能与技术成熟。
来源：IEEE Spectrum
时间：2026-04-08
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胶质母细胞瘤中外泌体的知识图谱构建：2006年至2025年的文献计量学分析
胶质母细胞瘤中外泌体研究呈现显著增长，中国和美国产量最高（2024年峰值117篇），哈佛相关机构贡献突出。研究从基础机制转向转化应用，热点包括肿瘤微环境调控、免疫治疗机制、液体活检及血脑屏障靶向递送。
来源：Journal of Craniofacial Surgery
时间：2026-04-08
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