• 利用硫酸和苯胺通过电子供体-受体光活化方法进行酰胺的有机催化合成

  光催化合成酰胺的新方法利用四氯苯甲酰亚胺作为有机催化剂，通过EDA光活化机制实现高效、无需严格无水条件及添加剂的酰胺合成，产率达97%，并成功制备克级对乙酰氨基酚。

  来源：The Journal of Organic Chemistry

  时间：2026-03-31

• 一种具有动态共栅放大器、电荷增强放大机制及动态体开关技术的区域高效噪声整形SAR ADC

  一种基于动态共栅放大器的2阶噪声整形SAR ADC设计，通过电荷倍增和动态bulk开关机制优化噪声整形性能，并采用PVT跟踪脉冲生成器提升工艺电压温度适应性，实现76dB SNDR、0.0045mm²面积和31.5uW功耗。

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2026-03-31

• 一款1-GS/s、12位流水线式SAR ADC，采用抖动技术对28纳米CMOS工艺中的级间增益和比较器偏移进行背景校准

  流水线SAR ADC设计采用开环放大器和交替比较器结构，在28nm CMOS工艺下实现1GS/s采样率。提出基于dither的背景校准方案消除增益和偏移误差，无需额外硬件且无时序惩罚。校准利用子ADC进行干扰抵消，加速增益误差校准周期至10^6次以下。实测SNDR 60.1dB，SFDR 75.7dB，功耗14.72mW，FoM达165.4dB。

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2026-03-31

• 基于两阶段逆变器的OTA技术，具有56 dB的增益以及可数字重构的带宽（GBW）和信号带宽比（SR），以提高光伏发电系统的抗干扰能力（PVT-Resiliency）

  提出一种基于双级逆变器的数字可调超低功耗OTA，动态优化增益带宽积（GBW）和平均过冲速率（SR），在180nm CMOS工艺下实现1.2nW超低功耗，56dB直流增益及7.6kHz最大GBW。

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2026-03-31

• 在有向通信网络中的分布式平均跟踪：一种非光滑剩余值方法

  分布式平均跟踪在非对称有向通信网络中实现，提出非光滑余量概念优化算法设计，结合矩阵扰动理论和图论最小割分析稳定性，应用于动态目标包围问题并扩展交互模式。

  来源：IEEE Transactions on Automatic Control

  时间：2026-03-31

• 基于GaN-on-SiC IPD技术的微型高功率Gysel分压器设计

  摘要：所提出的Gysel功率分配器同时实现了高功率处理和小型化。通过引入耦合线对来修改Gysel分配器的结构，使得可以应用<

  来源：IEEE Microwave and Wireless Technology Letters

  时间：2026-03-31

• 分布式K-胜者通吃模型与隐私保护：方法与硬件实验

  隐私保护方法在K-WTA网络模型中的应用研究。现有分布式K-WTA网络模型采用明文传输信息存在隐私泄露风险，本文创新性地提出融合同态加密与权重构造的隐私保护协议，通过秘密交换机制实现内外部窃听者的双重防御，并经软件仿真与树莓派硬件实验验证了方案的有效性和实用性。

  来源：IEEE Transactions on Industrial Electronics

  时间：2026-03-31

• 适用于5G应用的宽带GaAs HBT多赫蒂功率放大器，采用集总补偿网络和输入相位校正技术

  本文提出一种基于GaN HBT的宽带Doherty功率放大器，采用集总补偿网络和输入相位校正技术，覆盖5G n77/n78频段（3.1-4.3GHz），实现高PAE（39.54%-46.51%）和小信号增益（22.19-25.30dB），在6dB OBO时仍保持30.84%-34.95%的效率，经DPD后ACPR优于-45.2dBc，适用于5G终端设备。

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2026-03-31

• 具有较大线路电容的X射线成像仪中，用于电荷敏感放大器的噪声抑制技术

  寄生数据线电容（Cp）对X射线成像器模拟前端电路（AFE）噪声性能的负面影响，通过引入低噪声辅助放大器（AUX）设计两种新方法解决：一为负电容抵消技术，二为前馈路径噪声抵消。实验表明，在1.8V/180nm CMOS工艺中，原型芯片输入噪声降低至少2.2倍，静态功耗增加不超过29%。

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2026-03-31

• 力致发光增强型AIE多晶态系统的创制及其在微裂纹与应力分布可视化中的创新应用

  为了应对微裂纹与应力分布可视化监测技术匮乏的挑战，研究人员开发了一种新型具有聚集诱导发光(AIE)特性的有机发光分子TPEXD。该分子形成了两种具有不同发光性能的晶体。研究发现，其中一种晶体(SCb)不仅表现出显著、可逆的力致变色(MC)性能，其荧光量子产率(ΦPL)在机械力作用下可从2.4%提升至30.1%，展现出不同于传统AIE材料的力致发光增强(FIEE)特性。基于此，研究人员成功将其应用于无墨书写、冲击指示、材料微裂纹及织物应力分布的可视化监测，为开发高性能传感材料提供了新策略。

  来源：Aggregate

  时间：2026-03-30

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