为了解决这些挑战,提出了将石墨烯与高效吸光材料结合的混合光电探测器。全无机铯铅卤化物钙钛矿量子点(QD),如 CsPbX
3(X = Cl, Br, I),在异质结器件中具有许多吸引人的优势[9][10][11][12]。它们的直接可调带隙覆盖了可见光谱范围,具有高吸收系数(> 10
5 cm
-1)、长的载流子扩散长度和良好的点缺陷化学性质。与有机-无机混合材料相比,全无机钙钛矿具有更好的热稳定性和化学稳定性[13][14][15]。
CsPbX
3 QD 通过胶体方法合成,并在低温下沉积,从而能够与石墨烯通过溶液工艺集成[16][17]。当与石墨烯结合时,CsPbX
3 QD 能够有效吸收光子并在照射下生成电子-空穴对。异质结处的有利带对齐使得光生载流子能够高效传输到石墨烯层中,后者作为高迁移率的传输通道[18][19]。此外,异质结构部分地将石墨烯 π-电子系统与基底引起的无序分离,减轻了迁移率降低和氧化物支撑的石墨烯器件典型的迟滞现象。尽管有这些优势,但在实现均匀和选择性的 QD 覆盖、最小化界面缺陷以及在环境条件下保持长期操作稳定性方面仍存在挑战。了解钙钛矿 QD 如何影响光响应性——特别是与仅使用石墨烯的器件相比——对于优化混合器件架构至关重要。
我们采用了一种局部集成技术——软压印——在目标器件区域选择性地形成钙钛矿/石墨烯异质结构。利用这种技术,我们制备了以 CsPbBr3 QD 作为光活性层、石墨烯作为电荷传输层的光电探测器。软压印的局部性质使得在同一器件内可以直接比较异质结构和原始石墨烯区域的光物理行为。使用探针站对单层石墨烯和混合异质结构器件在 450 nm 和 525 nm 照射下的光电响应进行了表征。单层石墨烯器件在 450 nm 照射下表现出负光电流(NPC),在 525 nm 照射下表现出不稳定的正光电流(PPC),表明其光谱选择性和响应动力学较差。相比之下,混合异质结构器件在 450 nm 照射下从 NPC 转变为稳定的 PPC,并且在 525 nm 下表现出显著增强的光电流以及更快的上升和下降时间。这些发现表明,将 CsPbBr3 QD 结合到基于石墨烯的光电探测器中显著增强了光载流子的生成并稳定了不同波长的光电流。