• 功率循环控制策略对功率半导体器件失效模式和寿命的影响

  •在电流变化的情况下进行监测，会将明显的失效标准从 VCE 改为 Rth，适用于电压 P 和温差 ΔTj 保持不变的策略。•电流变化监测会掩盖键合线的疲劳现象，并可能高估 PCT（功率循环测试）寿命高达 18%。•采用恒定电流校准可以纠正这一误判，从而确定 VCE 为真正的失效标

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-09-01

• 基于 TreeFET 与新型 H 形 TreeFET 的热耐受性及掺杂敏感性的从器件到电路层面的性能优化

  •本研究探讨了温度及沟道掺杂对 TreeFET 和 H 形 TreeFET 性能的影响。•分析侧重于温度如何影响所提器件的直流及模拟/射频性能指标。•考察了沟道掺杂浓度在塑造基于 TFET 器件的电气响应中的作用。•H 形 TreeFET（HS TreeFET）具有增强的模拟

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-09-01

• 一种新型碳化硅非对称沟槽 MOSFET，集成 JFET 和双正向沟道，用于改善正向、反向和开关特性

  摘要提出了一种新型碳化硅（SiC）非对称沟槽 MOSFET，名为 IJDC-ATMOS，其集成了常关型结型场效应晶体管（JFET）和双正向通道。在正向导通期间，侧壁沟槽 MOSFET 和额外的底部平面 MOSFET 形成两条并联电子路径，降低了比导通电阻（Ron,sp）。同时

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 一款单事件瞬态保护型LDO（无输出电容），具有低开销和出色的瞬态响应性能

  •提出了两种加固电路，以提高CL-LDO的抗SET能力。•提出的RHBD电路2展示了SET抑制效果并改善了瞬态特性。•与已报道的电路相比，所提出的电路具有更低的设计复杂性。引言无输出电容的LDO（CL-LDO）因其出色的电源抑制特性而备受关注，使其特别适合系统级芯片应用[1],[

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-09-01

• 引发化学气相沉积（iCVD）沉积的硅氧烷基超低介电常数薄膜的电学与可靠性特性

  •pV3D3 薄膜无需多孔结构即可实现 2.2 的超低介电常数 (k)。•iCVD 能够实现 pV3D3 的保形沉积，最大限度地减少对复杂互连结构的损伤。•pV3D3 表现出优异的电气可靠性，击穿场强为 5–8 MV/cm。•TDDB 研究证实 pV3D3 支持行业要求的 1

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-09-01

• 结构优化对氮化镓基低增益雪崩探测器 (LGADs) 增益影响的仿真研究

  摘要本研究展示了一项技术计算机辅助设计 (TCAD) 仿真，旨在研究结构优化对氮化镓 (GaN) 基低增益雪崩探测器 (LGAD) 增益的影响。在 500 V 反向偏压下，系统研究了倍增层厚度 (Wm)、电场控制层有效掺杂浓度 (Nc) 和倍增层位置对增益性能的影响，并在最小

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 基于 TCAD 仿真的高精度温度依赖 GaN HEMT 本征 I-V 模型

  摘要现有的 GaN HEMT 经验模型存在亚阈值拟合差、膝点控制不灵活以及温度范围精度有限的问题。本文提出了一种基于 TCAD 生成参考数据的、温度相关的耗尽型 GaN HEMT 大信号经验 𝐼−𝑉 模型。Softplus 函数解决了转移特性中的导数不连续问题，而带有可调

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 一种用于数字输出 MEMS 陀螺仪的 31.25 kHz 带宽低通滤波器辅助连续时间 ΣΔ 调制器

  摘要 Sigma-delta (𝛴⁢𝛥) 调制器 (SDMs) 广泛应用于数字输出微机电系统 (MEMS) 陀螺仪，但其有限的带宽限制了其在高谐振频率陀螺仪中的应用。为克服这一限制，本文提出了一种带宽为 31.25kHz 的连续时间 SDM。系统级设计采用五阶 CIFF

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 基于贝叶斯卷积神经网络的分割模型及浮选过程颗粒检测的不确定性量化

  •提出了一种用于浮选矿浆颗粒分割的贝叶斯 CNN 框架。•自适应多尺度 Retinex 算法增强了低对比度含噪矿浆图像。•蒙特卡洛 Dropout 量化不确定性以提高模型鲁棒性。•BCN-Net 对细小且密集的矿浆颗粒实现了优越的检测。•基于不确定性建模的联合掩码损失提高了分

  来源：Measurement

  时间：2026-09-01

• 基于无透镜全息成像和 XGBoost 的变压器油中颗粒多特征识别

  •基于 CMOS 的无镜头全息技术恢复粒子轮廓和相位信息。 •迭代角谱相位检索重构粒子振幅和相位。 •五种可解释的形态学和相位相关特征表征油中粒子。 •XGBoost 在 三类粒子识别中达到 93.2%±0.6% 的准确率。 •相位相关特征贡献了 44.6% 的归一化 SHA

  来源：Measurement

  时间：2026-09-01

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