• 一种新型碳化硅非对称沟槽 MOSFET，集成 JFET 和双正向沟道，用于改善正向、反向和开关特性

  摘要提出了一种新型碳化硅（SiC）非对称沟槽 MOSFET，名为 IJDC-ATMOS，其集成了常关型结型场效应晶体管（JFET）和双正向通道。在正向导通期间，侧壁沟槽 MOSFET 和额外的底部平面 MOSFET 形成两条并联电子路径，降低了比导通电阻（Ron,sp）。同时

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 一款单事件瞬态保护型LDO（无输出电容），具有低开销和出色的瞬态响应性能

  •提出了两种加固电路，以提高CL-LDO的抗SET能力。•提出的RHBD电路2展示了SET抑制效果并改善了瞬态特性。•与已报道的电路相比，所提出的电路具有更低的设计复杂性。引言无输出电容的LDO（CL-LDO）因其出色的电源抑制特性而备受关注，使其特别适合系统级芯片应用[1],[

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-09-01

• 引发化学气相沉积（iCVD）沉积的硅氧烷基超低介电常数薄膜的电学与可靠性特性

  •pV3D3 薄膜无需多孔结构即可实现 2.2 的超低介电常数 (k)。•iCVD 能够实现 pV3D3 的保形沉积，最大限度地减少对复杂互连结构的损伤。•pV3D3 表现出优异的电气可靠性，击穿场强为 5–8 MV/cm。•TDDB 研究证实 pV3D3 支持行业要求的 1

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-09-01

• 结构优化对氮化镓基低增益雪崩探测器 (LGADs) 增益影响的仿真研究

  摘要本研究展示了一项技术计算机辅助设计 (TCAD) 仿真，旨在研究结构优化对氮化镓 (GaN) 基低增益雪崩探测器 (LGAD) 增益的影响。在 500 V 反向偏压下，系统研究了倍增层厚度 (Wm)、电场控制层有效掺杂浓度 (Nc) 和倍增层位置对增益性能的影响，并在最小

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 基于 TCAD 仿真的高精度温度依赖 GaN HEMT 本征 I-V 模型

  摘要现有的 GaN HEMT 经验模型存在亚阈值拟合差、膝点控制不灵活以及温度范围精度有限的问题。本文提出了一种基于 TCAD 生成参考数据的、温度相关的耗尽型 GaN HEMT 大信号经验 𝐼−𝑉 模型。Softplus 函数解决了转移特性中的导数不连续问题，而带有可调

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 一种用于数字输出 MEMS 陀螺仪的 31.25 kHz 带宽低通滤波器辅助连续时间 ΣΔ 调制器

  摘要 Sigma-delta (𝛴⁢𝛥) 调制器 (SDMs) 广泛应用于数字输出微机电系统 (MEMS) 陀螺仪，但其有限的带宽限制了其在高谐振频率陀螺仪中的应用。为克服这一限制，本文提出了一种带宽为 31.25kHz 的连续时间 SDM。系统级设计采用五阶 CIFF

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-09-01

• 基于贝叶斯卷积神经网络的分割模型及浮选过程颗粒检测的不确定性量化

  •提出了一种用于浮选矿浆颗粒分割的贝叶斯 CNN 框架。•自适应多尺度 Retinex 算法增强了低对比度含噪矿浆图像。•蒙特卡洛 Dropout 量化不确定性以提高模型鲁棒性。•BCN-Net 对细小且密集的矿浆颗粒实现了优越的检测。•基于不确定性建模的联合掩码损失提高了分

  来源：Measurement

  时间：2026-09-01

• 基于无透镜全息成像和 XGBoost 的变压器油中颗粒多特征识别

  •基于 CMOS 的无镜头全息技术恢复粒子轮廓和相位信息。 •迭代角谱相位检索重构粒子振幅和相位。 •五种可解释的形态学和相位相关特征表征油中粒子。 •XGBoost 在 三类粒子识别中达到 93.2%±0.6% 的准确率。 •相位相关特征贡献了 44.6% 的归一化 SHA

  来源：Measurement

  时间：2026-09-01

• 一种具有双膜结构的高灵敏度光纤加速度计

  •提出了一种采用双膜结构的光纤加速度计（FOA），具有较高的灵敏度。•通过有限元分析，研究了灵敏度和应变变化模式。•在相同的光纤长度下，其灵敏度是单膜结构的168.72%。•这种结构在保持与单膜参考结构接近的共振频率的同时，提高了灵敏度。引言光纤加速度计（FOA）相比传统的机电加

  来源：Measurement

  时间：2026-09-01

• 具有误差传播抑制功能的透明平面元件双表面双通道偏折测量法

  •提出了一种新颖的双通道偏转术方法，用于透明平面元件的精确双表面测量，显著减少了前后表面之间的误差传播。•采用了一种基于条件自注意力扩散模型的强度均衡技术，以解决两个通道之间的强度不平衡问题，确保稳定的信号分离和精确的表面重构。•引入了一种多信号解耦算法，以有效分离两个表面叠

  来源：Measurement

  时间：2026-09-01

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