碳化硼(B4C)因其独特的优异性能而广受关注,包括高机械强度、低密度、热稳定性和出色的中子吸收能力,这主要归功于其中存在的10B同位素[1,2]。这些特性使B4C成为核反应堆、航空航天屏蔽系统、先进医疗技术和国防部件等高要求应用中的理想材料[[3], [4], [5]]。然而,尽管具有这些优点,B4C对辐射损伤非常敏感。长时间暴露在电离辐射下,尤其是伽马和中子辐照下,会导致原子级缺陷、非晶区域和结构不稳定[1,3,[6], [7], [8]],从而最终恶化其晶粒完整性、热物理性质和机械性能。利用对缺陷相关电子态敏感的互补光谱技术,也研究了B4C中的辐射诱导缺陷形成[1,8]。先前的研究已经证实,中子或伽马辐照会导致性能的可测量退化,尤其是在高剂量下[8,9]。对基于B4C的复合材料(包括添加铝基体或高熵合金的复合材料)的研究表明,微结构工程可以部分减轻辐照损伤[4,5,10,11]。
尽管辐射损伤的机制已经相对明确,但恢复辐照后B4C的结构、光学和电性能的策略仍然有限。热退火被证明是最有效的方法之一,因为它可以降低缺陷密度、缓解内部应力,并部分恢复晶粒完整性和功能性能[5,9,12]。从机制上看,退火激活了原子扩散,使位移的原子返回晶格位置或迁移到缺陷聚集区(如晶界)。伽马辐照会生成空位、间隙位和反位缺陷等点缺陷,这些缺陷会扭曲晶格并产生局部应变。经过退火处理后,这些缺陷变得可移动并重新组合,从而降低缺陷浓度并恢复长程有序性。多项研究报道了B4C在中子或伽马辐照后经过高温退火处理,其晶格参数和热物理性质得到了恢复[1,13],这突显了热处理在提高富含硼的陶瓷材料耐辐射性和长期稳定性方面的有效性[4,5,12,14]。
尽管有这些发现,但很少有研究探讨连续伽马辐照和热退火联合处理的效果,特别是对于微结构化的B4C。大多数研究都是独立考察辐照和退火过程,因此对于辐照历史如何影响恢复行为仍存在不确定性。此外,在实际使用条件下,材料很少受到单一类型的损伤,这强调了顺序处理研究的重要性[9,15]。在我们之前的研究中,系统分析了25–150 kGy剂量下伽马辐照对B4C微粒的结构、形态和光学影响[11]。该研究明确了辐照诱导退化的剂量依赖性趋势,包括结构无序、缺陷形成、表面形态变化以及光学吸收行为的改变。本研究重点关注经过热退火处理后的选定辐照B4C样品的恢复行为,旨在评估辐照诱导退化的可逆性。恢复后进行了与传输相关的测量,从而不仅可以从损伤形成的角度,还可以从后续恢复的角度讨论材料的辐照耐受性。这种系统性的辐照后恢复评估为理解辐照陶瓷中的缺陷修复机制提供了依据,并为设计更耐辐射的B4C基材料提供了指导。