低热膨胀(LTE)材料在需要温度波动下保持尺寸稳定性的应用中至关重要,例如精密仪器和航空航天部件。诺贝尔奖获奖的Invar合金就因其各向同性的LTE特性而具有深远的影响[1]。然而,金属材料中的各向同性LTE极为罕见,主要局限于立方体系统,如Fe64Ni36[2]、(Zr,Nb)Fe2[4]和La(Fe,Si)13[5],[6],[7]。相比之下,大多数具有LTE或负热膨胀(NTE)的系统具有非立方晶格,并表现出明显的各向异性热膨胀,其中热膨胀系数(CTE)在不同晶体学方向上存在显著差异[8],[9],[10],[11],[12],[13],[14],[15],[16]。由于现代材料加工技术无法完全避免晶粒的优先取向,这种内在的各向异性会在宏观尺度上表现出来,常常导致内部应力、变形甚至结构失效——高温气冷反应堆中石墨减速剂的失效就是悲剧性的例证[17]。因此,实现各向同性的LTE对于确保空间上的尺寸稳定性至关重要。
各向异性晶体的固有晶格对称性导致不同方向上的原子排列和键合相互作用不同,从而产生了弹性和非谐各向异性,使得各向同性热膨胀似乎无法实现[18]。有趣的是,即使在缺乏长程有序的系统中,也可能出现各向同性的物理性质,例如自旋玻璃中的各向同性磁化冻结[19]和弛豫铁电体中通过类浆状极化结构抑制极化各向异性[20]。这些材料通过破坏长程有序性来保持各向同性,这启发了我们通过局部结构设计来调控热膨胀各向异性的策略。鉴于磁结构控制着磁诱导LTE机制中的磁体积效应(MVE),并且考虑到磁弹性耦合的方向性[21],[22],我们认为在微观磁结构中引入异质性可以使磁弹性耦合在不同晶体学方向上更加均匀,从而在非立方晶格中实现各向同性的LTE。
在这项工作中,我们通过对Ti(Fe0.85V0.15)2这种非立方六角化合物的微观磁结构进行战略性设计,实现了接近各向同性的LTE性能,其中αa(a轴CTE)= 2.74 ppm/K和αc(c轴CTE)= 1.18 ppm/K。通过中子粉末衍射(NPD)、高能同步辐射X射线衍射(SXRD)、对分布函数(PDF)、穆斯堡尔光谱和第一性原理计算,我们证明了钒在磁位点上的非均匀分布形成了一个异质性的磁环境。这种异质性在c轴和ab平面内都促进了MVE,最终实现了接近各向同性的LTE。这项研究不仅通过微观磁结构设计克服了对称性限制的典型案例,还为在非立方体系中实现各向同性热膨胀提供了一个原理。