现代工程设备正逐步向更高的速度和更重的负载发展,这使得冲击和振动问题变得越来越突出。MR阻尼器是一种半主动控制装置,具有结构简单、响应速度快、能耗低和动态范围大的优点[1]、[2]、[3]。由于其出色的动态性能,MR阻尼器被广泛应用于工程机械、铁路车辆和民用基础设施领域的振动抑制[4]、[5]、[6]。此外,MR阻尼器还被用于旋转系统中,以减轻高速机械的振动[7]、[8]、[9]。然而,安装空间的限制和阻尼力不足在一定程度上阻碍了MR阻尼器的应用。
为了提高MR阻尼器的阻尼性能,研究人员对结构设计进行了广泛的研究,主要集中在激励线圈优化、磁路设计和流道配置上。通常,扩大可控磁通区域可以显著提高MR阻尼器的阻尼性能。因此,提出了许多多线圈配置。胡等人[10]设计了一种双线圈MR阻尼器,并分析了七种不同活塞配置对阻尼器性能的影响。杨等人[11]、[12]开发了一种三线圈MR阻尼器,并进行了内部磁场测试、阻尼性能评估和机械模型参数识别。王等人[13]设计了一种具有多个平行泄压孔的四级电磁线圈MR阻尼器,并分别在不同冲击速度和电流下对有泄压孔和无泄压孔的MR阻尼器进行了实验研究。Cruze等人[14]提出了一种多线圈自供电MR阻尼器,该阻尼器的活塞杆中集成了十个线圈。与相同尺寸的单线圈MR阻尼器相比,结果表明多级线圈结构有效提高了阻尼性能。尽管多线圈MR阻尼器可以增强阻尼力,但同时也会增加其轴向体积和能耗。
除了增加线圈数量外,许多研究还通过设计MR阻尼器的磁路来提高阻尼性能。程等人[15]提出了一种具有蜿蜒磁路的MR阻尼器,以改善阻尼力。磁通路径由磁性和非磁性组件引导。结果显示,阻尼力高达3.4 kN。刘等人[16]开发了一种具有折叠电阻间隙和弯曲磁路的新型MR阻尼器,通过弯曲磁路激活了传统的非磁性磁通区域。实验结果显示,与传统的MR阻尼器相比,阻尼力和动态范围分别提高了55.82%和62.21%。严等人[17]开发了一种双环形阻尼间隙MR阻尼器,通过合理布置高磁导率和低磁导率材料提高了磁场利用率。结果表明,所提出的MR阻尼器比传统阻尼器具有更好的阻尼性能。吴等人[18]设计了一种全通道有效MR阻尼器,具有并联和弯曲磁路。活塞头上的三个电阻环使磁路弯曲,增加了阻尼通道的有效工作长度。结果显示,这种MR阻尼器的平均磁场强度比传统MR阻尼器提高了100.89%。尽管弯曲磁路可以提高MR阻尼器的磁场利用率,但它也会引起磁泄漏问题。
此外,一些研究人员还通过改变MR阻尼器的流道结构来提高阻尼性能。白等人[19]设计了一种带有串联环形径向通道的环形径向通道MR阻尼器,将其集成到流体流道中。可控阻尼力可达到3.149 kN,显著提高了MR阻尼器的性能效率。Kim等人[20]提出了一种具有折叠流体通道的MR阻尼器,连接内外流体通道,从而延长了有效通道。结果表明,其阻尼性能优于传统阻尼器。王等人[21]开发了一种带有双折阀的MR阻尼器,作为内部旁路。与相同体积的MR环形阀阻尼器相比,所提出的MR阻尼器可以实现更低的关闭场阻尼力和更大的开启场阻尼力。胡等人[22]设计了一种具有多个轴向流体流道的MR阻尼器,并通过合理布置激励线圈和非磁性导电单元形成了四个有效的轴向间隙。所提出的MR阻尼器在1.8 A的电流下可以达到5.98 kN,表明阻尼性能有了显著提高。后来,胡等人[23]设计了一种混合流体流MR阻尼器,它在活塞处集成了轴向环形流道和径向盘流道。实验结果表明,混合流体流MR阻尼器在受限体积大小下可以获得更好的阻尼性能。然而,之前的MR阻尼器的流道中存在急转弯,容易导致堵塞故障。
上述提高MR阻尼器阻尼性能的方法主要是通过增加磁通密度、提高磁场利用率和延长有效流道长度来实现的。此外,长时间连续运行过程中的热积累也会影响MR阻尼器的阻尼性能。为了研究MR阻尼器的温度特性,进行了许多相关研究。Priya等人[24]研究了MR阻尼器运行过程中的温度特性及其对阻尼器滞后的影响。结果表明,MR阻尼器在较高输入电流下的运行会导致温度升高,从而导致峰值力下降。梁等人[25]研究了不同工作环境温度对MR阻尼器机械性能的影响,并提出了一种新的温度修正的双曲线滞后模型。朱等人[26]设计了一种带有内部温度传感器的单杆直缸MR阻尼器,并研究了温度对阻尼器性能的影响。Delijani等人[27]研究了工作温度对MR阻尼器性能的影响,并提出了一个考虑温度影响的参数模型。研究结果表明,当阻尼器受到较高速度和电流的影响时,其性能显著下降。
为了更好地满足工程机械振动抑制的实际需求,本文设计了一种螺旋流道MR阻尼器。通过用传统的轴向环形流道替换螺旋流道,在不增加MR阻尼器整体尺寸的情况下延长了有效阻尼间隙。同时,通过在活塞头中布置非磁性环,磁通线垂直穿过整个螺旋流道长度,从而提高了磁场利用率和阻尼性能。建立了螺旋流道MR阻尼器的阻尼机械模型和温度升高模型。此外,还建立了多物理场耦合仿真模型,并分析了阻尼性能和温度特性。最后,制造了所提出的MR阻尼器的原型,并搭建了试验系统来研究其性能,包括阻尼力、动态可调范围和温度特性。