哈扎尔·格米扎(Hazar Guemiza)|丹尼尔·R·诺索夫(Daniil R. Nosov)|马拉克·阿拉·埃丁(Malak Alaa Eddine)|丹尼尔·F·施密特(Daniel F. Schmidt)|埃里克·德罗肯穆勒(Eric Drockenmuller)|亚历
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哈扎尔·格米扎(Hazar Guemiza)|丹尼尔·R·诺索夫(Daniil R. Nosov)|马拉克·阿拉·埃丁(Malak Alaa Eddine)|丹尼尔·F·施密特(Daniel F. Schmidt)|埃里克·德罗肯穆勒(Eric Drockenmuller)|亚历山大·S·沙普洛夫(Alexander S. Shaplov)|塞德里克·普莱塞(Cedric Plesse)|阮春勇(Thuan-Nguyen Pham-Truong)|皮埃尔-亨利·奥贝尔(Pierre-Henri Aubert) 法国瑟吉巴黎大学(CY Cergy Paris Université),LPPI,5 Mail Gay Lussac,Neuville sur Oise,F-95000
3.3. 用于超级电容器应用的体相动态离子凝胶 如前文关于均匀电解质中双离子传导机制的部分所述,DIG被用于电极的制备并作为电解质。评估了两种不同含量的DIG在复合材料中的负载,分别为10%和30%。SEM图像和EDS光谱显示,在30%的负载下,rGO/PIL和rGO/DIG之间没有明显差异(图S11)。由于在复合材料中rGO和DIG之间发生了相分离(图3A),因此排除了超过50%的DIG负载用于电化学测试,因为得到了非均匀的电极。可以推测,在高rGO含量下,石墨烯片倾向于自组装成庞大的结构,通过毛细力和物理阻碍(阳离子-π堆叠和π-π堆叠)将DIG困住。在低rGO含量下,可能会同时发生几种现象。首先,结构网络在渗透阈值以下变弱,导致析出。其次,通过阳离子-π或π-π相互作用,DIG吸附到rGO表面的锚定点饱和,导致未结合的DIG从结合的DIG/rGO庞大结构中排出。这种现象在文献中已经观察到,适用于线性聚合物链/石墨烯和聚合物网络/石墨烯相互作用[23,24]。在5 mV s−1的循环伏安图下,rGO/DIG-10//DIG//rGO/DIG-10显示出矩形形状(图3B),表明了EDLC存储机制。在5 mV s−1下的比电容计算为5.4 F g−1,略高于双层系统。然而,与其他系统中随着PIL含量的增加存储性能下降的情况不同(图S10),将复合材料中的DIG含量增加到30%后,比电容提高到了10 F g−1(相当于5.9 mF cm−2),优于其他配置,即rGO/PILC-10//PILC/PILA//rGO/PILA-10、rGO/PILA-10//PILA//rGO/PILA-10和rGO/PILC-10//PILC//rGO/PILA-10。将电压窗口扩展到2 V后,计算出的比电容为14 F g−1,比1 V时的值增加了140%。这一趋势与界面DIG系统观察到的趋势相似(增加了280%),但程度较低。考虑到获得的值等于2 V时界面DIG的比电容,这加强了我们之前关于在施加电压驱动下逐渐形成体相DIG的假设。此外,随着离子迁移性的提高,使用30%的DIG时,电容保持率显著提高到了71.3%(图3C)。这种行为可能源于DIG的特定流变性质,即由释放的IL促进的原位塑化。Aramburu等人使用聚氨酯/石墨烯/EMIBF4系统在早期研究中报告了基于咪唑的IL的特性[25]。因此,在1伏特电压下,获得了最大能量密度为1.66 Wh kg⁻¹(6 W kg⁻¹)和功率密度为44 W kg⁻¹(1.2 Wh kg⁻¹);而将工作电压提高到2伏特时,可以获得更高的能量密度10.9 Wh kg⁻¹和功率密度115 W kg⁻¹(见图3D)。下载:下载高分辨率图片(1011KB)下载:下载全尺寸图片
为了进一步提高电化学性能同时保持良好的导电性,将电极复合材料中的炭黑(CB)比例从15 wt%替换为多壁碳纳米管(MWCNTs),得到了rGO-MWCNTs/DIG-30复合材料。rGO-MWCNTs/DIG-30复合材料的导电性约为6 S cm⁻¹,相比rGO/DIG-30(0.61 S cm⁻¹)有了显著提升。因此,在2伏特电压下,以1至10 mV s⁻¹的扫描速率记录的CV曲线(见图4A)呈现出一致的矩形形状,这与之前观察到的rGO-CB/DIG-30复合材料的特性相似。电容显著增加,在1 mV s⁻¹时达到27.2 F g⁻¹,凸显了导电性改善的益处。在10 mV s⁻¹下的比电容仍保持在10 F g⁻¹,相应的电容保持率为44.2%。DIG/rGO基SCs存储性能的提高可能与DIGs内部动态交联网络的独特传输特性有关。这种传输模式使得离子能够通过跳跃式传输机制进行移动,补充了离子的体积扩散[26]。此外,DIG可以作为界面桥梁,通过π-π堆叠或阳离子-π相互作用锚定在rGO片层表面,从而调节其润湿性。生成的界面已被证明可以降低离子脱溶的能量障碍,这对于实现高存储容量至关重要[27]。随后,rGO-CB/DIG-30和rGO-MWCNT/DIG-30基SCs在长期循环(4800次循环)之前进行了100次预循环。这一过程与电极内的离子传输机制有关,意味着在初始循环之后,离子传输路径变得更加稳定,从而在后续循环中表现出更好的性能。这些设备在空气中表现出良好的稳定性,在5 mV s⁻¹下经过4700次循环后,电容保持率约为80%,库仑效率接近100%(见图4B)。在整个过程中未检测到IL泄漏,证明了材料的稳定性和实际应用的适用性。正如我们之前的工作所报道的[21],DIG的离子导电性在40°C时增加到0.026 mS cm⁻¹,在80°C时增加到0.24 mS cm⁻¹,同时仍保持固态行为,从而避免了SC设备中的液体泄漏风险。因此,在较高温度下记录了循环电位图,如图4C所示。在40°C和80°C的工作温度下,比电容分别显著提高至45.3 F g⁻¹和60.1 F g⁻¹。有趣的是,电容保持率也随温度升高而增加,在80°C下达到64.5%,远高于室温下的44.2%(见图4D)。这些优异的性能直接转化为在80°C下的最大能量/功率密度分别为31.4 Wh kg⁻¹和366 W kg⁻¹,而在室温下分别为17.1 Wh kg⁻¹和137 W kg⁻¹。我们获得的无需外加IL的基于DIG的准固态电解质的成果与其他报道的含有外加IL的凝胶化聚合物电解质[15,20,28,29]相当。此外,在开阔空气条件下,这些SC设备在广泛的温度范围内运行时没有液体泄漏和性能下降的迹象,这使它们在现实应用中具有很高的前景。DIG基质的坚固交联框架确保了出色的热稳定性和机械稳定性,即使在高达80°C的温度下也能保持其结构完整性。这种对热应力的抵抗力防止了内部短路或相分离,从而保证了在所有测试环境中的稳定电化学响应。
总之,开发了一种新一代准固态SC,使用DIG作为新型功能聚合物电解质,同时替代了电极配方和隔膜中的传统聚合物粘合剂。这种方法无需添加外部IL即可制造出具有增强电化学性能的固态和无膜SC设备。DIG是通过聚(1-丁基-3-[氧杂环己烷-2-基甲基]-1-咪唑-3-ium-共-环氧乙烷)双(三氟甲磺酰)亚胺和聚[(1-丁基-3-甲基咪唑ium 1-[3-(甲基丙烯酰氧)丙基磺酰]-1-(三氟甲磺酰)亚胺)-r-聚(乙二醇)甲基醚甲基丙烯酸酯]之间的复杂共凝聚得到的,用于制造两种类型的SC,包括界面型或体相型DIG配置。通过系统优化参数(如DIG含量和电极组成),电化学测试验证了性能的提升。rGO–MWCNT/DIG(30 wt%)复合电极在开阔空气条件下表现出最高的比电容,分别为25°C时的27.2 F g⁻¹和80°C时的60.1 F g⁻¹,对应的能量/功率密度分别为17 Wh kg⁻¹/137 W kg⁻¹和31.4 Wh kg⁻¹/366 W kg⁻¹。重要的是,DIG在整个研究温度范围内保持了其固态完整性,没有IL泄漏。其显著的机械稳定性凸显了DIGs在下一代储能设备中的巨大潜力。
未来的工作将重点进一步改善DIGs的机械和离子性能,以开发出更高性能的SC。
CRediT作者贡献声明: Hazar Guemiza:研究、方法论、验证、撰写——原始草稿。 Daniil R. Nosov:形式分析、研究、方法论、撰写——原始草稿。 Malak Alaa Eddine:研究、方法论、撰写——原始草稿。 Daniel F. Schmidt:概念化、形式分析、验证。 Eric Drockenmuller:概念化、资金获取、监督、撰写——审阅与编辑。 Alexander S. Shaplov:概念化、资金获取、项目管理、监督、验证、撰写——审阅与编辑。 Cedric Plesse:概念化、形式分析、监督、验证、撰写——审阅与编辑。 Thuan-Nguyen Pham-Truong:概念化、研究、方法论、监督、验证、撰写——原始草稿、撰写——审阅与编辑。 Pierre-Henri Aubert:概念化、资金获取、研究、项目管理、监督、撰写——审阅与编辑。