采用Y型切割LiNbO3薄膜并通过转移键合技术实现高耦合厚剪切模式的固态谐振器

时间:2026年5月19日
来源:Journal of Microelectromechanical Systems

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摘要:为了满足5G/6G系统中对宽带和高功率耐用射频(RF)滤波器日益增长的需求,本文介绍了一种基于Y切割LiNbO3薄膜的厚度剪切型固体安装谐振器(TS-SMR)的设计、仿真和实验验证。该谐振器实现了高共振频率和增强的有效机电耦合系数(k2eff)。该器件采用了专门的抑制结构:

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摘要:

为了满足5G/6G系统中对宽带和高功率耐用射频(RF)滤波器日益增长的需求,本文介绍了一种基于Y切割LiNbO3薄膜的厚度剪切型固体安装谐振器(TS-SMR)的设计、仿真和实验验证。该谐振器实现了高共振频率和增强的有效机电耦合系数(k2eff)。该器件采用了专门的抑制结构:梯形电极变薄设计和活塞模式设计用于抑制y传播的杂散模式,而沟槽则用于抑制x传播的杂散模式。TS-SMR器件通过6层掩模工艺制造,其中在锂铌酸盐-绝缘体(LNOI)晶圆上沉积了5层125 nm/165 nm SiO2/W布拉格反射器。350 nm的Y切割LiNbO3薄膜通过晶圆键合工艺转移到硅衬底晶圆上。对TS-SMR原型的测量结果显示,其共振频率为4.316 GHz,抑制杂散信号后的有效机电耦合系数为k2eff,功率处理能力为33 dBm。该原型为基于LNOI平台的下一代宽带RF滤波器提供了一种潜在的解决方案。[2025-0146]

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