基于β-Ga2O3同质结的增强型自供电深紫外光电探测器，通过Sn重掺杂和肖特基结的协同调控实现性能提升

高瑞泽|韩雨瑞|王玉洁|宋友恒|王月飞|李炳生|穆文祥|王向虎|滕京华|沈艾东|刘一春

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  在β-Ga₂O₃（011）单晶衬底上实现了高质量的外延生长，并系统评估了其对器件性能的影响。
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  构建了Au/Ga₂O₃/Sn: Ga₂O₃的垂直MSM单面肖特基结构，以实现双重内置电场的协同调控。
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  在0 V自供电模式下同时实现了高响应度、高探测灵敏度和亚毫秒级响应速度，突破了传统Ga₂O₃器件的性能 trade-off 限制。