构建多层中空高熵尖晶石氧化物球体以提升电化学性能

时间:2026年5月28日
来源:Applied Materials Today

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徐兴华|邓晓|曾辉|田杨柳•制备出了具有空心球形多层结构的高熵尖晶石氧化物。•所制备的高熵尖晶石氧化物中含有富集的氧空位。•在电流密度为1 A/g的条件下,实现了748 F/g的高比电容。•在电流密度为10 mA/cm²的条件下,实现了254 mV的低过电位。•该方法为制备具有独

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徐兴华|邓晓|曾辉|田杨柳
  • 制备出了具有空心球形多层结构的高熵尖晶石氧化物。
  • 所制备的高熵尖晶石氧化物中含有富集的氧空位。
  • 在电流密度为1 A/g的条件下,实现了748 F/g的高比电容。
  • 在电流密度为10 mA/cm²的条件下,实现了254 mV的低过电位。
  • 该方法为制备具有独特结构的高熵氧化物提供了一种新途径。

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