CV曲线在KOH(0~0.6 V)和RAE(0~0.65 V)中均出现明显氧化还原峰,具准可逆法拉第(Faradaic)赝电容特征;RAE条件下CV积分面积显著大于KOH,表明Fe(CN)63-/Fe(CN)64-氧化还原电对额外贡献法拉第反应。对比ZIF-8、CdS/ZIF-8与CdS/rGO/ZIF-8,后者峰电流密度最高、CV面积最大,证实CdS(提供Cd/Cd2+氧化还原)、rGO(提升导电性与电子迁移)与ZIF-8(多孔结构促进离子渗透)三者协同作用。由CV按Csp=∫I dV/(mvΔV)计算得5 mV s-1下比电容为514.64 F g-1(KOH)与1380.55 F g-1(RAE)。log(ip)~log(v)斜率b值KOH中为0.512,RAE中为0.457,说明电荷存储同时受表面控制与扩散控制过程影响,RAE中扩散控制(法拉第氧化还原)占比更高。GCD曲线呈非三角形证实赝电容行为,由GCD按Csp=IΔt/(mΔV)得最大比电容387.69 F g-1(KOH)与892.53 F g-1(RAE)。10000圈GCD循环后电容保持率为84.66%(KOH)和87.32%(RAE),显示良好长循环稳定性。EIS Nyquist图中高频区截距(等效串联电阻 Rs)KOH中为0.7885 Ω、RAE中为0.5381 Ω,经10000圈后略增至0.8104 Ω与0.5456 Ω;中频半圆直径对应电荷转移电阻(Charge Transfer Resistance, Rct)较小(KOH: 0.4459→0.4691 Ω;RAE: 0.4331→0.4604 Ω),低Rs与Rct表明rGO有效提升了电极导电性与界面电荷传输效率。
3.4. Fabrication of asymmetric supercapacitor(非对称超级电容器组装与测试)
以CdS/rGO/ZIF-8为正极(80 wt.%活性物质+10 wt.% AC导电剂+10 wt.% PVDF粘结剂涂覆泡沫镍)、AC为负极(90 wt.% AC+10 wt.% PVDF),以浸渍RAE的隔膜隔层组装ASC器件(ZIF-8/CdS/rGO)//AC。CV在0~1.7 V窗口内呈现氧化还原峰,具赝电容特征,扫速5~100 mV s-1下形状维持较好,表明良好倍率响应,器件最高比电容97.23 F g-1(CV法)。GCD测试在3 A g-1下得ASC比电容57.38 F g-1,随电流密度增大比电容下降(离子扩散受限)。循环测试中前2000圈保持88.72%,10000圈后保持84.11%。Ragone图计算得最大能量密度(Energy Density, E)20.402 W h kg-1,对应功率密度(Power Density, P)2033.89 W kg-1。ASC器件EIS中Rs为0.501 Ω(前)→0.553 Ω(后10000圈),Rct为0.614 Ω→0.728 Ω,低阻抗说明rGO网络改善欧姆接触与电荷传递,器件具较低内阻。
讨论与结论总结(Conclusions 部分翻译/浓缩)
研究人员通过原位合成制备了CdS/rGO/ZIF-8异质结构三元纳米复合材料。HR-TEM确认CdS纳米颗粒与rGO包覆于多面体ZIF-8表面;XPS确认Zn2+及各组元元素价态;BET表明CdS/rGO/ZIF-8比表面积656.205 m2g-1、孔径3.834 nm。三电极体系中KOH与RAE电解液下比电容分别达514.64 F g-1与1380.55 F g-1,RAE中提升源于材料与Fe(CN)63-/Fe(CN)64-氧化还原电对协同作用;10000次循环后电容保持率分别为84.66%(KOH)和87.32%(RAE)。组装的(ZIF-8/CdS/rGO)//AC非对称超级电容器在0~1.7 V窗口下比电容57.38 F g-1,能量密度20.402 W h kg-1、功率密度2033.89 W kg-1,10000圈后电容保持84.11%;ASC器件Rs为0.501 Ω(前)/0.553 Ω(后),Rct为0.614 Ω(前)/0.728 Ω(后)。研究表明,向CdS/ZIF-8中引入rGO可显著提升电化学性能,CdS/rGO/ZIF-8//AC是具应用前景的清洁能源储能电极材料。