波纹辅助吸附实现室温下惰性气体在石墨烯上的稳定吸附

时间:2025年11月15日
来源:National Science Review

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本刊推荐:针对非极性气体(特别是惰性气体)在常压室温条件下难以稳定吸附的科学难题,研究人员开展了"波纹辅助吸附"机制研究。通过理论模拟与实验验证,首次实现了氙(Xe)、氪(Kr)、氩(Ar)、氦(He)等惰性气体在波纹化石墨烯上的室温稳定吸附,并证实吸附气体呈现周期性晶格排列。该研究突破了传统物理吸附/化学吸附理论框架,为气体存储分离、表面催化等领域提供了新范式。

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在气体吸附研究领域,一个持续百年的科学难题始终困扰着研究人员:如何让惰性气体在常温常压条件下稳定地吸附在固体表面?从Freundlich经验公式到Langmuir等温模型,再到BET理论,吸附理论虽然日益完善,但对于氙、氪、氩、氦这些具有饱和电子结构的惰性气体,传统的物理吸附和化学吸附机制都显得力不从心。以往的研究往往需要将温度降至极低(如120mK或8K)才能实现短暂吸附,一旦温度回升,吸附的气体便会立即脱附。这种对低温的依赖严重限制了惰性气体在工业中的应用前景。
正是在这样的背景下,南京大学等机构的研究团队在《National Science Review》上发表了一项突破性研究。他们发现石墨烯表面固有的波纹结构可能是解决这一难题的关键。石墨烯作为典型的二维材料,其表面存在的纳米级起伏(振幅约0.7Å,波纹直径约80Å)不仅是一种结构特征,更可能成为增强气体吸附的活性位点。
研究人员采用多种先进技术手段开展系统性研究。理论计算方面通过密度泛函理论分析吸附能随波纹曲率的变化规律;实验部分结合扫描隧道显微镜(STM)表征吸附气体的晶格排列,利用X射线光电子能谱(XPS)和电子能量损失谱(EELS)进行元素鉴定,并通过拉曼光谱和电学测量跟踪吸附过程中的结构变化和物性演变。样品包括铜基底石墨烯、悬浮石墨烯以及NbSe2、MoS2和单壁碳纳米管等对比材料。
实现惰性气体原子在波纹石墨烯上的吸附
研究团队首先通过理论计算发现,平坦石墨烯对氩原子的吸附能仅为100meV,远低于室温热涨落能量。然而,当石墨烯波纹曲率增加至0.116时,吸附能显著提升至171meV,且这一趋势适用于所有惰性气体。值得注意的是,吸附能随气体分子量增加而增大,说明氙原子比氦原子更容易实现稳定吸附。
实验方面,研究人员采用弱电离等离子体技术,在保持石墨烯晶格完整性的前提下,成功实现了惰性气体的室温吸附。STM图像清晰显示,吸附的氙原子在Cu(111)基底的石墨烯上形成最密堆积结构,相邻原子间距约6.8Å。随着偏压改变,氙原子晶格呈现从六重对称向二重对称的转变,且始终与下层石墨烯晶格取向保持一致。通过350°C退火处理,吸附气体可完全脱附,石墨烯恢复完美六方晶格结构。
XPS分析进一步证实了吸附氙的存在,显示出明显的Xe 3d3/2和3d5/2特征峰(结合能分别为682.5eV和669.8eV),这些信号在脱附后完全消失。对于氩和氦原子,STM观察到它们以二聚体形式周期排列,相邻原子间距分别为300pm和230pm。
悬浮石墨烯上的惰性气体吸附
针对悬浮石墨烯的研究提供了更直接的证据。SAED(选区电子衍射)图谱显示,除了石墨烯的衍射环外,还存在一套额外的六方对称衍射斑点,对应晶化吸附氙原子,其晶格常数为5.3±0.2Å。尽管采用极低剂量(0.1pA/μm2)和短时采集(12秒),电子束仍会导致吸附氙的衍射信号在48秒内完全消失,证明吸附态的相对脆弱性。
在60kV超低剂量(0.025pA/μm2)条件下,经过3600秒累积采集的EELS谱成功检测到699eV处的氙特征峰。然而,对于更易脱附的氪、氩和氦,即使最优条件下也难以捕获其信号。
波纹辅助吸附的稳定性
拉曼光谱分析揭示了吸附过程的结构变化本质。原始石墨烯的D峰(~1350cm-1)几乎不可见,而吸附氩后出现明显D峰,ID/IG比值达0.61,表明碳原子面外位移导致的sp3相变。这一变化在脱附后完全可逆,与边缘、空位或C-H键等永久缺陷有本质区别。
研究还发现吸附效果具有明显的层数依赖性:单层石墨烯ID/IG比值最高(0.61),随层数增加逐渐减弱(双层0.22,三层0.09)。同位素标记实验进一步证实,波纹变形存在于所有层中,但随深度递减。此外,基底接触也会影响吸附效果,衬底支撑石墨烯的变形程度高于悬浮石墨烯。
稳定性测试表明,吸附气体在室温真空环境下可稳定存在5个月以上。变温电阻测量显示,吸附气体的脱附起始温度约120°C,完全脱附温度分别为:氙350°C、氪320°C、氩250°C、氦230°C。通过Arrhenius公式拟合得到脱附活化能:氙207meV、氪106meV、氩83meV、氦48meV,与理论计算趋势一致。
吸附诱导的物理性质变化
理论计算表明,波纹化使石墨烯费米能级从-4.25eV上移至-4.15eV,同时打开约20meV的带隙,这些变化主要源于对称性破缺而非气体吸附本身。
电学测量结果显著:吸附氩后石墨烯的电荷中性点从4V偏移至33.5V,呈现强p型掺杂特性,电阻增加近两个数量级,与氢化和氟化石墨烯相当。变温传输测试显示吸附态具有半导体特性,拟合带隙约7.4meV。脱附后所有电学性质完全恢复。
对其他材料的研究进一步验证了该机制的普适性。NbSe2吸附氩后超导转变温度从2.25K降至1.95K,电阻倍增;MoS2的光致发光光谱发生明显变化;单壁碳纳米管的径向呼吸模从139cm-1红移至120cm-1。所有这些变化在脱附后均基本可逆。
这项研究提出的"波纹辅助吸附"机制突破了传统吸附理论的局限,首次实现了惰性气体在常温下的稳定吸附。该机制不形成化学键,不破坏材料本征结构,完全可逆,为气体存储与分离技术提供了新思路。更重要的是,这种吸附诱导的物性调控为材料表面改性、催化应用开辟了新途径,有望在能源、环境、信息等领域产生深远影响。

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