具有高太阳能到氢能转化效率的直接Z型InN/InSe异质结用于光催化水分解

时间:2026年2月7日
来源:Molecular Catalysis

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构建合理的二维范德华异质结以提高光催化水分解效率,InN/InSe异质结通过第一性原理计算显示具有0.87 eV直接带隙,内置电场促进Z型电荷转移,光吸收增强导致太阳能转化效率达12.77%,且热力学计算证实反应自发进行。

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Fuqiang Ai|Qingquan Xiao|Jianfeng Ye|Dahai Yu|Songguo Yu|Quan Xie|Sheng Li|Xiaoping Wu
贵州大学大数据与信息工程学院,中国贵阳550025

摘要

构建具有高效电荷分离能力和强氧化还原能力的理性二维范德华异质结被认为是开发高性能光催化剂的一种有前景的策略。采用第一性原理计算来评估一种新型二维InN/InSe异质结的光催化水分解能力。计算结果表明,InN/InSe异质结具有II型错位带对齐结构,直接带隙为0.87 eV。强内建电场促进了InN/InSe异质结中光生载流子的空间分离,引导电荷沿Z型路径转移,从而实现高效的载流子分离和强大的氧化还原能力。与单独的InN和InSe单层相比,InN/InSe异质结在可见光吸收方面表现出显著的增强,这直接转化为12.77%的优异太阳能到氢气的转化效率。此外,吉布斯自由能计算证实,InN/InSe异质结表面可以自发地进行整体光催化水分解反应。这些理论预测表明,InN/InSe异质结是用于太阳能驱动水分解应用的有希望的候选材料。

引言

随着全球工业化的迅速发展,由于化石燃料的持续消耗,全球能源危机和环境退化问题日益严重。在这种背景下,开发环境友好且可持续的能源来源成为研究的重点[1]。尽管太阳能因其可再生性、环保性和全球可用性而成为理想的替代能源,但其实际应用受到能量密度低、分布间歇性和储存挑战等固有限制的显著阻碍。相比之下,氢能源以其显著的能量密度、可储存性、可运输性和零碳排放而具有巨大的潜力[2]。自1972年Fujishima和Honda发现TiO2的光催化性质以来,已经开发出了许多高效的半导体光催化剂。其中,二维(2D)材料光催化剂由于其极高的载流子迁移率、优异的比表面积和可调的电子能带结构而成为研究的热点[[3], [4], [5], [6], [7]]。然而,单一组分的光催化剂通常面临可见光吸收范围窄、电荷分离效率低和电子-空穴复合快等问题,导致催化效率低于实际应用的要求[8,9]。
通过将两种不同的二维材料以垂直方向排列来形成二维范德华(vdW)异质结,可以解决这些限制。由于界面处的范德华键合较弱,所得异质结在很大程度上保留了各个单层的电子特性。此外,不同材料之间的层间相互作用和电荷转移可以为异质结赋予新的物理性质。近年来,受自然光合作用的启发,直接Z型光催化剂作为一种高效的光催化系统出现,为光催化水分解提供了创新有效的途径[[10], [11], [12], [13], [14], [15], [16], [17], [18], [19], [20], [21], [22], [23], [24], [25], [26]]。例如TiO2/C3N4 [27]和BiOBr/ZnIn2S4 [28]等实验制备的直接Z型光催化剂有效地分离了光诱导的电子-空穴对,并实现了显著的氢气生成活性。理论上提出的vdW异质结,如GeC/PtSe2 [29]和GaAs/GeTe [30],也被预测具有显著改善的可见光吸收能力和出色的光催化效率。因此,开发新型直接Z型光催化剂成为实现高效太阳能驱动水分解的关键方向。
高效的光催化异质结在很大程度上依赖于组成单层材料的合理选择。III族氮化物单层表现出优异的光电和催化性能,为光催化产氢提供了巨大潜力[[31], [32], [33]]。其中,InN是一种直接带隙半导体,以其窄带隙和高电子迁移率而闻名。尽管具有这些优势,但由于其带边位置不适合整体水分解反应的要求,InN无法驱动氧进化反应(OER)[34,35]。近年来,通过机械剥离成功合成的二维层状半导体InSe引起了广泛关注[36]。作为间接带隙半导体,2D InSe具有可调的带隙、高机械稳定性和优异的载流子迁移率,显示出其在光催化水分解应用中的可行性[37,38]。最近的研究表明,InN和InSe单层都是构建高效Z型光催化剂的有前途的二维材料[34,35,39,40]。
基于InN和InSe单层的优异性能,进行了第一性原理研究,以系统评估InN/InSe vdW异质结的光催化性能。InN/InSe异质结表现出优异的热力学稳定性,这主要归因于其组成单层之间的强晶格兼容性。在InN/InSe异质结中观察到II型带对齐和0.87 eV的窄带隙。这种电子结构产生了内建界面电场和相关的带弯曲,协同作用将光生载流子分离并引导至不同的能量水平。基于吉布斯自由能计算,确认InN/InSe异质结表面的整体光催化水分解反应在热力学上是自发的。此外,光学吸收分析显示,在紫外到可见光谱范围内吸收显著增强。理论估计的太阳能到氢气的转化效率达到了12.77%。这些结果使InN/InSe异质结成为高性能整体水分解应用的可行候选材料。

计算方法

在本研究中,所有第一性原理计算均使用维也纳从头算模拟包(VASP)进行,采用了投影增强波(PAW)方法[41,42]。采用Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)泛函和广义梯度近似(GGA)来近似交换-相关效应[43]。DFT-D3方法结合Becke-Johnson阻尼用于考虑长程范德华相互作用[44]。能量和力收敛的阈值分别为

结构和稳定性

首先,在构建InN/InSe异质结之前,评估了单独的InN和InSe单层的结构和电子特性。图1(a)和(b)显示了InN和InSe单层的完全优化结构,其晶格常数分别为3.58 Å和4.07 Å。如图1所示,InN单层的价带最小值(VBM)和导带最大值(CBM)都位于Γ点,表明其具有直接带隙

结论

通过第一性原理计算,InN/InSe vdW异质结被证实是一种高效的直接Z型光催化剂。InN/InSe异质结具有0.87 eV的直接带隙,其结构稳定性通过结合能计算和AIMD模拟得到了验证。基于带对齐和内建电场的分析,进一步表明InN/InSe异质结遵循直接Z型光催化机制。从光学角度来看,InN/InSe

CRediT作者贡献声明

Fuqiang Ai:撰写 – 审稿与编辑,撰写 – 原始草稿,可视化,验证,监督,项目管理,方法论,研究,正式分析,数据管理,概念化。Qingquan Xiao:监督,软件,资源,项目管理,资金获取。Jianfeng Ye:正式分析。Dahai Yu:正式分析。Songguo Yu:撰写 – 审稿与编辑。Quan Xie:撰写 – 审稿与编辑。Sheng Li:撰写 – 审稿与编辑。Xiaoping Wu:撰写 –

利益冲突声明

作者声明他们没有已知的竞争财务利益或个人关系可能影响本文报告的工作。

致谢

本工作得到了贵州大学“智能制造与研究生联合培训基地的产教结合创新平台”(项目编号:2020-520000-83-01-324061)和“贵阳科技平台建设”(项目编号:[2023]7-3)的支持。

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