我们提出了一种金属卤化物钙钛矿二极管,该二极管集成了嵌入式光管理结构,其特征是多孔的微米级氧化铝岛屿表面涂有钝化剂。这种结构克服了传统上用于发光二极管(LED)的超薄不连续钙钛矿层与光伏(PV)所需的厚吸收层之间的矛盾。通过强烈抑制表面复合,内部辐射效率超过了50%,从而实现了光子回收,使外部辐射效率提高了40%以上。波长级别的低折射率氧化铝岛屿进一步将进入逃逸锥的光子比例提高了一倍。作为具有800纳米厚钙钛矿层的LED,该器件的电致发光(EL)外部量子效率达到了约31%,辐射强度超过1,200 W Sr−1 m−2——几乎是平面器件的10倍——并且由于低驱动电压,其电致发光能量转换效率达到了约32%。作为光伏电池,其功率转换效率达到了27%(经认证的稳定值为26.7%)。稳定的埋藏界面进一步确保了在高强度光伏和恶劣LED操作条件下的耐用性。
在这项工作中,我们引入了一种静电共组装工艺,制备了涂有钝化剂的低折射率多孔微米级Al2O3纳米片(称为e-Al2O3,见图S1)。将这种结构嵌入钙钛矿器件中带来了多方面的改进:界面复合速度降低到1.4 cm s−1,而未使用氧化铝的器件为20.2 cm s−1,使用上一代Al2O3纳米片的器件为9.9 cm s−1。20 体寿命增加到13.5 μs。这些改进使得内部辐射效率超过了50%,