用于量子密钥分发的压电驱动平面光波电路

时间:2026年2月3日
来源:Optics & Laser Technology

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压电聚合物波导平面光波电路设计与量子密钥分发实验研究,实现4V·cm压电电压-长度积和12ns响应时间,单光子干涉可见度92%,兼容多种QKD协议,材料优化可进一步提升性能。

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Jin You|Ping Yin|Qinghai Liu|Bowen Sheng|Pengle Cheng|Yipeng Lu
北京林业大学技术学院,中国北京100083

摘要

设计并制造了一种用于量子密钥分发(QKD)的压电驱动平面光波电路(PLC)。该PLC由高光弹系数的聚合物波导和高性能压电层组成,兼容BB84相位、BB84时间槽、差分相移(DPS)和相干单向(COW)协议。实验结果表明,该PLC的光弹系数为4 V·cm,响应时间仅为12 ns。在单光子实验中,干涉可见度超过了92%,通过材料优化和偏振反馈回路或实时稳定系统可以进一步提高这一性能。

引言

随着量子计算的兴起和快速发展,传统密码学保护的数据传输面临日益增加的风险。基于量子力学原理的量子通信能够突破经典密码技术的物理限制,因此代表了安全通信领域的根本性变革[1]。在量子通信方法中,量子密钥分发(QKD)发展最为迅速,并已进入实际应用阶段。
实用的QKD系统主要分为两种形式:(i)基于光纤的离散实现,由块状光学元件构成;(ii)基于平面光波电路(PLC)技术的光子量子芯片。尽管离散光纤系统相对容易组装,但它们体积庞大、可重构性有限、功耗较高,且成本较高——这些特点与QKD对小型化、模块化、能效和多协议兼容性的要求不符。相比之下,PLC平台具有高集成密度和低功耗。此外,对芯片上元件的电控功能可实现不同QKD协议所需的编码/解码操作。PLC相对较低的制造成本为大规模部署QKD提供了可行的途径。
在PLC平台上,主要的芯片重构方案包括电光(EO)、热光(TO)和应力驱动。在硅光子学以及传统的Si3N4/SiO2材料中实现的EO和TO方法已在QKD应用中得到较为成熟的应用。然而,许多EO材料的较高传播损耗以及TO器件的固有热串扰和有限的调制速率限制了实际高集成QKD系统的可扩展性[2]、[3]、[4]。
受微机电系统(MEMS)技术进步的推动,被动波导中的应力-光学耦合作为一种替代驱动方式引起了越来越多的关注[5]、[6]。通过压电[7]、[8]、[9]或静电[10]、[11]、[12]执行器产生的外力会改变器件结构,从而在波导中产生应力/应变,并通过光弹效应改变其有效折射率[13]。虽然静电驱动在技术上已经成熟,但它存在结构上的限制——尤其是需要悬浮波导,这会降低器件的鲁棒性,并因空气包层而增加光损耗[14]、[15]、[16]。相比之下,压电驱动可以完全封装波导的包层,避免悬浮并减少额外损耗。最近在Si[17]和Si3N4[7]、[18]、[19]上的研究表明,使用微瓦级功耗可以实现亚微秒级的调谐,表明压电驱动适用于芯片级声光调制。因此,压电驱动是传统EO和TO驱动器的有前途的替代方案,具有更好的材料多样性、CMOS兼容性和能效。
尽管用于QKD的压电驱动组件尚处于起步阶段,但初步实验表明其具有明显优势和技术可行性。2024年,Blasl等人将Si3N4波导与商用压电驱动的多模干涉仪(MMI)结合使用,验证了BB84相位编码协议,展示了良好的波长选择性和可扩展性[20]。2025年,You等人使用SiO2波导和块状声学执行器初步验证了压电控制的QKD,实现了与热光调制相当的量子比特错误率(QBER)[21]。然而,这些材料通常具有较低的光弹系数,需要较高的驱动电压或体积庞大的外部执行器,这影响了集成密度。
在这项工作中,我们报告了一种在聚合物PLC平台上制造的压电驱动QKD芯片。该芯片采用光弹系数较高的聚合物波导核心,并使用P(VDF-TrFE)/PZT复合压电薄膜作为驱动层。压电薄膜的有效应力光弹系数为2.3 C/m2,驱动响应时间为12 ns,额外损耗仅为0.2 dB/cm。单光子实验的量子态制备干涉可见度达到92%,QBER为4%。该PLC具有高稳定性和重复性,6小时内的干涉可见度漂移约为1%。通过材料优化和偏振管理,这些性能还可以进一步提高。总体而言,这些结果表明压电驱动是实现低功耗、高速度和高集成度QKD光子平台的一条有吸引力的途径。

设计与制造

使用标准MEMS兼容工艺制造了一种用于QKD的压电驱动PLC。芯片示意图如图1a所示,集成了两个马赫-曾德尔干涉仪(MZI)和一个非对称MZI(AMZI)。聚合物波导核心(n = 1.56)上下分别包覆有SiO2(n = 1.44)。每个MZI使用50:50方向耦合器作为输入分光器和输出重组器,将光功率分配给AMZI和芯片输出。

压电系数实验

准确测量薄膜压电特性对于指导压电器件的设计至关重要。对于压电驱动的PLC,器件性能主要取决于薄膜的有效横向压电系数e_{31,f}。对于厚基底上的薄膜,有效系数可以表示为:e_{31,f}=T_1E_3d_{31}s_11< />其中,T_1表示平面应力,E_3表示沿3方向的电场,s_{11}s_{12}表示弹性模量

结论

在实际QKD系统中,持续存在的挑战包括高速架构中的较大光损耗和高QBER,以及被动调制方案中的低密钥率和固有量子态损耗,这些仍然是主要瓶颈。异质集成PLC可以在材料层面结合两种方法的优点,成为当前的研究重点。然而,其制造流程的复杂性导致产量较低,并需要精细的权衡。

CRediT作者贡献声明

Jin You:撰写 – 审稿与编辑,撰写 – 原稿,方法论,资金获取,形式分析,数据管理,概念构思。Ping Yin:撰写 – 审稿与编辑。Qinghai Liu:撰写 – 审稿与编辑。Bowen Sheng:Pengle Cheng:Yipeng Lu:

利益冲突声明

作者声明他们没有已知的可能会影响本文工作的财务利益或个人关系。

致谢

本工作得到了国家自然科学基金(编号32171797)的支持。

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