易于构建具有1D/2D分层结构的VS2@GNSs复合材料，以实现高效的电磁波吸收

VS₂纳米棒均匀修饰石墨烯纳米片（GNSs）制备1D/2D复合结构，具有优异电磁波吸收性能，反射损耗最低达-49.83 dB，有效吸收带宽6.72 GHz，雷达散射截面抑制20.38 dB m²，为高性能隐身材料设计提供理论和实验基础。

摘要

随着当前各种电子设备的广泛生产，相应的电磁污染问题也日益严重。为应对这些挑战，本文采用简便的球磨方法将VS₂纳米棒均匀地接枝在石墨烯纳米片（GNSs）上，制备出具有优异电磁波（EMW）吸收性能的一维/二维分级VS₂@GNSs复合材料。具体而言，当匹配厚度为1.96毫米时，VS₂@GNSs复合材料的最低反射损耗（RL_min）可达到-49.83分贝（dB），其超宽有效吸收带宽（EAB）为6.72吉赫（GHz）。这一性能得益于VS₂@GNSs复合材料出色的阻抗匹配特性和电磁波衰减能力。此外，计算机仿真技术（CST）的全波仿真进一步证实，在实际应用场景中，VS₂@GNSs复合材料表现出显著的雷达散射截面（RCS）抑制效果，与金属基底相比，RCS降低了多达20.38分贝平方米（dB m²）。本研究为高性能隐身材料的设计与制备提供了理论指导和实验基础。

随着当前各种电子设备的广泛生产，相应的电磁污染问题也日益严重。为应对这些挑战，本文采用简便的球磨方法将VS₂纳米棒均匀地接枝在石墨烯纳米片（GNSs）上，制备出具有优异电磁波（EMW）吸收性能的一维/二维分级VS₂@GNSs复合材料。具体而言，当匹配厚度为1.96毫米时，VS₂@GNSs复合材料的最低反射损耗（RL_min）可达到-49.83分贝（dB），其超宽有效吸收带宽（EAB）为6.72吉赫（GHz）。这一性能得益于VS₂@GNSs复合材料出色的阻抗匹配特性和电磁波衰减能力。此外，计算机仿真技术（CST）的全波仿真进一步证实，在实际应用场景中，VS₂@GNSs复合材料表现出显著的雷达散射截面（RCS）抑制效果，与金属基底相比，RCS降低了多达20.38分贝平方米（dB m²。本研究为高性能隐身材料的设计与制备提供了理论指导和实验基础。